Transistor de transistor MOSFET de N-canal de COMMUTATEUR du module PDP de transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF
Number modèle:IRFB4229PBF
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:9000 pièces
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
COMMUTATEUR IRFB4229PbF de PDP
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Caractéristiques ?
• Technologie transformatrice avancée ?
• Les paramètres principaux optimisés pour le PDP des applications de commutateur soutiennent, de récupérations de l'énergie et de passage ?
• La basse estimation d'EPULSE pour réduire la dissipation de puissance dans le PDP soutiennent,
Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage ?
• Bas QG pour la réponse rapide ?
• Capacité répétitive élevée de courant de pointe pour l'opération fiable ?
• Temps de montée de moins-value et pour la commutation rapide ?
• la température de jonction 175°C fonctionnante pour la rugosité améliorée ?
• Capacité répétitive d'avalanche pour la robustesse et la fiabilité
Paramètres principaux
| Minute de VDS | 250 | V |
| Type de VDS (avalanche). | 300 | V |
| Type du RDS (DESSUS). @ 10V | 38 | mΩ |
| IRP maximum @ comité technique = 100°C | 91 | |
| TJ maximum | 175 | °C |
Description ? ? ?
Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® est spécifiquement conçu pour Sustain ; Applications de commutateur de récupération de l'énergie et de passage dans des panneaux d'écran plasma. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium et la basse estimation d'EPULSE. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la température de jonction 175°C de fonctionnement et capacité répétitive élevée de courant de pointe. Ces caractéristiques combinent pour faire ce transistor MOSFET un dispositif très efficace, robuste et fiable pour le PDP conduisant des applications.
Capacités absolues
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
|---|---|---|---|
| VGS | Tension de Porte--source | ±30 | V |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 46 | |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 33 | |
| IDM | Courant pulsé de drain | 180 | |
| IRP @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant de pointe répétitif ? | 91 | |
| Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 330 | W |
| Palladium @TC = 100°C | Dissipation de puissance | 190 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 2,2 | W/°C | |
| TJ TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -40 + 175 | °C |
| La température de soudure pendant 10 secondes | 300 | °C | |
| Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 | 10lbin (1.1Nm) | N |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| HIP4080AIBZT | 3925 | INTERSIL | 15+ | CONCESSION |
| TNY266PN | 3970 | PUISSANCE | 16+ | DIP7 |
| LM7912CT | 3990 | NS | 16+ | TO-220 |
| HCNW4503 | 3991 | AVAGO | 14+ | SOP8DIP8 |
| ICL7650SCBA | 3996 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
| LM2575HVT-ADJ | 3997 | NS | 14+ | TO-220 |
| MUR3020PT | 3997 | SUR | 16+ | TO-3P |
| IRFR5305 | 3998 | IR | 16+ | TO-252 |
| MJ802 | 3998 | SUR | 13+ | TO-3 |
| LBAT54XV2T1G | 3999 | SUR | 15+ | SOD-523 |
| VN10LFTA | 3999 | ZETEX | 16+ | SOT23 |
| 1N5341B | 4000 | SUR | 16+ | CASE17 |
| 1N5343B | 4000 | SUR | 14+ | DO-02 |
| 2SC2383 | 4000 | TOSHIBA | 14+ | TO-92 |
| 2SC3807 | 4000 | SANYO | 14+ | TO-126 |
| 2SK170BL | 4000 | TOSHIBA | 16+ | TO-92 |
| 74HC174D | 4000 | 16+ | SOP-16 | |
| 74LVC245AD | 4000 | 13+ | CONCESSION | |
| AD8572ARZ | 4000 | ANNONCE | 15+ | SOP8 |
| AT24C512C-SSHD-T | 4000 | ATEML | 16+ | SOP8 |
| BCV48 | 4000 | 16+ | SOT-89 | |
| BD137 | 4000 | St | 14+ | TO-126 |
| BTS721L1 | 4000 | 14+ | SOP-20 | |
| CD4027BE | 4000 | TI | 14+ | IMMERSION |
| CPC1017N | 4000 | CLARE | 16+ | SOP4 |
| IRF7307 | 4000 | IR | 16+ | SOP8 |
| IRFR210 | 4000 | IR | 13+ | SOT-252 |
| LT1963AEST-3.3 | 4000 | LT | 15+ | SOT-223 |
| MIC4424BN | 4000 | MICREL | 16+ | DIP8 |
| MICROSMD050F-2 | 4000 | TYCO | 16+ | SMD |
Transistor de transistor MOSFET de N-canal de COMMUTATEUR du module PDP de transistor MOSFET de puissance d'IRFB4229PBF
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