MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
Number modèle:STGB7NC60HDT4
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
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Capacité d'approvisionnement:7800pcs
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| DS1245Y-100 | 1002 | DALLAS | 15+ | TO-92 |
| DS1990A-F5 | 1002 | MAXIME | 16+ | BOÎTE |
| ICL7135CPIZ | 1002 | INTERSIL | 16+ | IMMERSION |
| IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| K847P | 1002 | VISHAY | 14+ | DIP16 |
| LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
| LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
| MC34074AP | 1002 | SUR | 13+ | DIP14 |
| TC962CPA | 1002 | PUCE | 15+ | DIP8 |
| VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
| LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
| XC2C64A-7VQG44C | 1005 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| 30344 | 560 | BOSCH | 14+ | QFP |
| AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| NCP1200AP40 | 1008 | SUR | 16+ | DIP8 |
| PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
| ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
| TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
| HT8950 | 1012 | HOLTEK | 16+ | IMMERSION |
| TDA7384 | 1012 | St | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| CS5550-ISZ | 1022 | CIRRUS | 14+ | SSOP24 |
| LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
| IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
| XCF04SVOG20C | 1034 | XILINX | 16+ | CONCESSION |
| MC34084P | 1050 | SUR | 16+ | DIP-14 |
| DAC1220E | 1077 | TI | 13+ | SSOP16 |
| AT91SAM7X256-AU | 1088 | ATMEL | 15+ | QFP |
| 74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
| ADM2582EBRWZ | 1100 | ANNONCE | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D
PowerMESH™ très rapide IGBT
■BAISSE INFÉRIEURE d'ON-VOLTAGE (Vcesat)
■OUTRE DES PERTES INCLUEZ LE COURANT DE QUEUE
■LES PERTES INCLUENT L'ÉNERGIE DE RÉCUPÉRATION DE DIODE
■ABAISSEZ LE RAPPORT DE CRES/CIES
■OPÉRATION HAUTE FRÉQUENCE JUSQU' 70 kilohertz
■ANTI DIODE PARALLÈLE DE RÉCUPÉRATION ULTRA-RAPIDE DOUCE MÊME
■PRODUITS DE NOUVELLE GÉNÉRATION AVEC UNE DISTRIBUTION PLUS SERRÉE DE PARAMÈTRE
DESCRIPTION
Utilisant la dernière technologie haute tension basée sur une disposition brevetée de bande, STMicroelectronics a conçu une famille avancée d'IGBTs, le PowerMESH™ IGBTs, avec des représentations exceptionnelles. Le suffixe « H » identifie une famille optimisée pour des applications haute fréquence afin de réaliser des représentations de changement très élevées (tfall réduit) mantaining une baisse de basse tension.
APPLICATIONS
■INVERSEURS HAUTE FRÉQUENCE
■SMPS ET PFC DANS LES LES DEUX COMMUTATEUR DUR ET TOPOLOGIES RÉSONNANTES
■CONDUCTEURS DE MOTEUR
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
STGP7NC60HD STGB7NC60HD | STGF7NC60HD | |||
| VCES | Tension de collecteur-émetteur (VGS = 0) | 600 | V | |
| VECR | Tension d'Émetteur-collecteur | 20 | V | |
| VGE | Tension de Porte-émetteur | ±20 | V | |
| IC | Courant de collecteur (continu) comité technique = 25°C (#) | 25 | 10 | |
| IC | Courant de collecteur (continu) comité technique = 100°C (#) | 14 | 6 | |
| Missile aux performances améliorées (? 1) | Courant de collecteur (pulsé) | 50 | ||
| SI | Courant en avant de la diode RMS comité technique = 25°C | 20 | ||
| PTOT | Dissipation totale comité technique = 25°C | 80 | 25 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,64 | 0,20 | W/°C | |
| VISO | C.A. de tension de tenue d'isolation. (t = 1 sec ; Comité technique = 25°C) | - | 2500 | V |
| Tstg | Température de stockage | – 55 150 | °C | |
| Tj | La température de jonction fonctionnante | |||
(1 ?) durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
Le schéma 1 : Paquet
Le schéma 2 : Schéma de principe interne
MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4
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