Transistor MOSFET de changement ultra-rapide de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FS3KM-9A#B00
Number modèle:FS3KM
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5800pcs
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| ICM7211AMIQH | 2177 | MAXIME | 15+ | PLCC44 |
| ICM7218BIJI | 2128 | INTERSIL | 16+ | DIP-28 |
| ICM7555ISA+T | 7263 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| ICS501M | 13486 | ICS | 13+ | SOP-8 |
| ICS542MILF | 2436 | IDT | 06+ | SOP-8 |
| IDG-2020 | 2483 | INVENSENS | 13+ | QFN |
| IDT7132SA100P | 8650 | IDT | 16+ | IMMERSION |
| IDT71V124SA10PHG | 2079 | IDT | 14+ | TSOP-32 |
| IDT7201LA50J | 4619 | IDT | 00+ | PLCC |
| IDT74ALVC164245PAG | 6881 | IDT | 15+ | TSSOP |
| IKW40T120 | 7085 | 16+ | TO-247 | |
| IKW50N60T | 4078 | 14+ | TO-247 | |
| IKW75N60T | 3696 | 13+ | TO-247 | |
| IL420 | 3961 | VISHAY | 13+ | DIP-6 |
| ILQ621GB | 2307 | VISHAY | 13+ | DIP-16 |
| ILQ74 | 6004 | VISHAY | 16+ | DIP-16 |
| IM03GR | 16005 | TYCO | 16+ | SMD |
| INA101AG | 364 | TI | 12+ | DIP-14 |
| INA110SG | 1498 | TI | 12+ | CDIP-16 |
| INA118UB | 2360 | TI | 15+ | SOIC-8 |
| INA121U/2K5G4 | 2330 | TI | 15+ | SOP-8 |
| INA122U | 3809 | TI | 14+ | SOP-8 |
| INA122UA | 4600 | TI | 15+ | CONCESSION |
| INA132UA/2K5 | 5750 | TI | 14+ | SOP-8 |
| INA138NA | 7872 | TI | 16+ | SOT23-5 |
| INA155UA/2K5 | 6852 | TI | 15+ | SOP-8 |
| INA168NA/3K | 4279 | TI | 16+ | SOT23-5 |
| INA2128U/1K | 2281 | TI | 14+ | SOP-16 |
| INA331IDGKR | 14035 | TI | 13+ | MSOP |
| INA826AIDR | 5661 | TI | 15+ | SOP-8 |
Transistor MOSFET FS3KM-10 de PUISSANCE de MITSUBISHI Nch
UTILISATION DE CHANGEMENT ULTRA-RAPIDE
VDSS ................................................................................ 500V
le RDS (DESSUS) (max) ................................................................. 4.4Ω
Identification ......................................................................................... 3A
Viso ................................................................................ 2000V
APPLICATION
Convertisseur de SMPS, de DC-DC, chargeur de batterie, alimentation d'énergie en imprimante, copieur, HDD, FDD, TV, magnétoscope, etc. d'ordinateur personnel.
ESTIMATIONS MAXIMUM (comité technique = 25°C)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Estimations | Unité |
| VDSS | tension de Drain-source | VGS = 0V | 500 | V |
| VGSS | tension de Porte-source | VDS = 0V | ±30 | V |
| Identification | Vidangez actuel | 3 | ||
| IDM | Courant de drain (pulsé) | 9 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 30 | W | |
| Tch | La température de la Manche | – 55 | +150 | °C | |
| Tstg | Température de stockage | – 55 | +150 | °C | |
| Viso | Tension d'isolement | C.A. pour 1minute, terminal enfermer | 2000 | Vrms |
| Poids | Valeur typique | 2,0 | g |
DESSIN D'ENSEMBLE
TO-220FN
Transistor MOSFET de changement ultra-rapide de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FS3KM-9A#B00
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