Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

Number modèle:FQP30N06
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6900pcs
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
MCIMX535DVV1C1066FREESCALE14+BGA
MCIMX6S7CVM08AC769FREESCALE16+BGA
MCP100T-270I/TT68000PUCE15+SOT23-3
MCP100T-315I/TT57000PUCE16+SOT23-5
MCP100T-450I/TT58000PUCE10+SOT23-3
MCP120T-315I/TT24000PUCE14+SOT-23
MCP1252-33X50I/MS6935PUCE16+MSOP
MCP1525T-I/TT22350PUCE14+SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB11219PUCE16+SOT-89
MCP1700T-1802E/TT17041PUCE06+SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB14911PUCE09+SOT-89
MCP1700T-3302E/TT87000PUCE12+SOT-23
MCP1700T-5002E/TT6249PUCE16+SOT-23
MCP1702T-3302E/MB8308PUCE13+SOT-89
MCP1703T-5002E/DB6320PUCE13+SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB5514PUCE16+SOT-223
MCP1826T-3302E/DC6845PUCE15+SOT223-5
MCP2122-E/SN7708PUCE13+SOP-8
MCP23S17-E/SO8974PUCE15+SOP-28
MCP2551-I/SN7779PUCE16+SOP-8
MCP2551T-E/SN3957PUCE16+SOP-8
MCP3202-CI/SN5841PUCE15+SOP-8
MCP3202-CI/SN5770PUCE15+SOP-8
MCP3208-CI/P8740PUCE15+IMMERSION
MCP3421AOT-E/CH12828PUCE16+SOT23-6
MCP3422AO-E/SN3875PUCE10+SOP-8
MCP3424-E/SL8273PUCE16+SOP-14
MCP3551-E/SN7817PUCE16+SOP-8
MCP41050T-I/SN4450PUCE11+SOP-8
MCP41100-I/SN3572PUCE15+SOP-8

FQP30N06

transistor MOSFET du N-canal 60V


Description générale

Ces transistors effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.


Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournir la représentation de changement supérieure, et résiste l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et piles.


Caractéristiques

• 30A, 60V, le RDS (dessus) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Basse charge de porte (19 typiques OR)

• Bas Crss (40 typiques PF)

• Commutation rapide

• l'avalanche 100% a examiné

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C


Capacités absolues comité technique = 25°C sauf indication contraire

SymboleParamètreFQP30N06Unités
VDSSTension de Drain-source60V
Identification

Vidangez actuel - continu (comité technique = 25°C)

- Continu (comité technique = 100°C)

30
21,3
IDMVidangez actuel - pulsé (note 1)120
VGSSTension de Porte-source± 25V
EASÉnergie pulsée simple d'avalanche (note 2)280MJ
IARCourant d'avalanche (note 1)30
OREILLEÉnergie répétitive d'avalanche (note 1)7,9MJ
dv/dtRécupération maximale de diode dv/dt (note 3)7,0V/ns
Palladium

Dissipation de puissance (comité technique = 25°C)

- Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

79W
0,53W/°C
TJ, TSTGTempérature ambiante d'opération et de température de stockage-55 +175°C
TLLa température maximum d'avance pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes300°C

China Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06 supplier

Transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP30N06

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