Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP
Number modèle:P4NK60ZFP
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8760pcs
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Shenzhen China
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| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| MAX191BCWG+ | 2338 | MAXIME | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | MAXIME | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | MAXIME | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | MAXIME | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | MAXIME | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | MAXIME | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | MAXIME | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | MAXIME | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | MAXIME | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | MAXIME | 13+ | Na |
| MAX3311CUB | 2302 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | MAXIME | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | MAXIME | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | MAXIME | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | MAXIME | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | MAXIME | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | MAXIME | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | MAXIME | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | MAXIME | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESH™Power
■Ω 1,76 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME
DESCRIPTION
La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.
APPLICATIONS
■COMMUTATION FORTE INTENSITÉ ET GRANDE VITESSE
■IDÉAL POUR LES ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE, LES ADAPTATEURS ET LE PFC EN DIFFÉRÉ
■ÉCLAIRAGE
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (•?) | Courant de drain (pulsé) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Dissipation totale comité technique = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Tension de tenue d'isolation (C.C) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | La température de jonction fonctionnante Température de stockage | -55 150 -55 150 | °C | ||
(•? ?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP
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