Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC807-25
Number modèle:BC807-25
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7800pcs
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | St | 16+ | IMMERSION |
| BZX84B5V1 | 2888 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | TI | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | SEPT | 16+ | IMMERSION |
| MP1542DK-LF-Z | 2900 | MP | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
| IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | IMMERSION |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | PUCE | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
| MUR1640CT | 2998 | SUR | 16+ | TO-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
| 1N5359B | 3000 | SUR | 14+ | DO-27 |
| 1N5819HW-7-F | 3000 | DIODES | 14+ | SOD-123 |
| 2N7002W-7-F | 3000 | DIODES | 16+ | SOT-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
| BD136 | 3000 | St | 13+ | TO-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | SUR | 14+ | SOT23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Transistor d'usage universel de BC807 PNP
CARACTÉRISTIQUES
• forte intensité (maximum 500 mA)
• Basse tension (maximum 45 V).
APPLICATIONS
• Commutation et amplification d'usage universel.
Fig.1 a simplifié le contour (SOT23) et le symbole.
DESCRIPTION
Transistor de PNP dans un paquet SOT23 en plastique.
NPN complète : BC817.
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | base |
| 2 | émetteur |
| 3 | collecteur |
VALEURS LIMITES
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134).
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Mn. | MAXIMUM. | UNITÉ |
| VCBO | tension de collecteur-base | émetteur ouvert | − | −50 | V |
| VCEO | tension de collecteur-émetteur | base ouverte ; IC = −10 mA | − | −45 | V |
| VEBO | tension d'émetteur-base | collecteur ouvert | − | −5 | V |
| IC | courant de collecteur (C.C) | − | −500 | mA | |
| Missile aux performances améliorées | courant de collecteur maximal | − | −1 | ||
| IBM | courant bas maximal | − | −200 | mA | |
| Ptot | dissipation de puissance totale | °C du ≤ 25 de Tamb ; note 1 | − | 250 | mW |
| Tstg | température de stockage | −65 | +150 | °C | |
| Tj | la température de jonction | − | 150 | °C | |
| Tamb | température ambiante fonctionnante | −65 | +150 | °C |
Le transistor de la note 1. a monté sur un panneau du circuit
imprimé FR4.
CONTOUR DE PAQUET
Paquet monté extérieur en plastique ; 3 avances SOT23
Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC807-25
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