Transistor d'usage universel de npn de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP50N06

Number modèle:FQP50N06
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7800pcs
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
SN74HC00DR4211TI15+SOP14
NDS9956A4215FAIRCHILD16+SOP8
MC33202DR2G4227SUR16+SOP8
ICE2B265425014+DIP-8
SS32-E3/57T4250VISHAY14+DO214
SI38674258VISHAY14+SOT-163
APM49534275APM16+SOP8
LM1117MPX-5.04288NS16+SOT223
3224W-1-103E4300BOURNS13+SMD
TNY276GN4300PUISSANCE15+SOP-7
MIC5235-1.8YM54300MICREL16+SOT23-5
HCF4052BEY4399St16+IMMERSION
M82C51A-24400OKI14+IMMERSION
MUR1620CTRG4400SUR14+TO-220
IRF73294412IR14+SOP-8
HSMP-38164433AVAGO16+SOT153
SMDJ54CA4440LITTELFUS16+SMD
GP1A51HR4444DIÈSE13+DIP-4
P2804BDG4444NIKO15+TO252
AP9962GH4450AP16+TO-252
AD1955ARSZ4457ANNONCE16+SSOP-28
AMS1083CT-3.34470L'AMS14+TO-220
1N4747A4500St14+DO-41
FDB8447L4500FSC14+TO-263
INA118P4500TI16+DIP-8
IRFR9024NTRPBF4500IR16+TO-252
NL17SZ064500SUR13+SOT553
Q6040K74500LITTELFUS15+TO-3P
STM83244500SAMHOP16+SOP8
TDA20504500St16+FERMETURE ÉCLAIR

FQP50N06L

transistor MOSFET de N-canal de la LOGIQUE 60V


Description générale

Ces transistors effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.

Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournir la représentation de changement supérieure, et résiste l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et piles.


Caractéristiques

• 52.4A, 60V, le RDS (dessus) = 0.021Ω @VGS = 10 V

• Basse charge de porte (24,5 typiques OR)

• Bas Crss (90 typiques PF)

• Commutation rapide

• l'avalanche 100% a examiné

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C


Capacités absolues comité technique = 25°C sauf indication contraire

SymboleParamètreFQP50N06LUnités
VDSSTension de Drain-source60V
Identification

Vidangez actuel - continu (comité technique = 25°C)

- Continu (comité technique = 100°C)

52,4
37,1
IDMVidangez actuel - pulsé (note 1)210
VGSSTension de Porte-source± 20V
EASÉnergie pulsée simple d'avalanche (note 2)990MJ
IARCourant d'avalanche (note 1)52,4
OREILLEÉnergie répétitive d'avalanche (note 1)12,1MJ
dv/dtRécupération maximale de diode dv/dt (note 3)7,0V/ns
Palladium

Dissipation de puissance (comité technique = 25°C)

- Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

121W
0,81W/°C
TJ, TSTGTempérature ambiante d'opération et de température de stockage-55 +175°C
TLLa température maximum d'avance pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes300°C

Dimensions de paquet

TO-220


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Transistor d'usage universel de npn de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP50N06

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