60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche

Number modèle:FDS9945
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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BULLETIN DE LA COTE

MSP3420GB8V36596MSP15+IMMERSION
LTV814110000LITEON16+IMMERSION
MAX6301CSA4076MAXIME16+CONCESSION
LM2841XBMKX10188NSC15+SOT-23-5
LMC7111BIM510000NSC14+SOT-23-5
LM3876T543NSC13+ZIP-11
LMC6062AIM4239NSC14+SOP-8
LMV431BIMF10000NSC15+SOT-23
MAX8682ETM5146MAXIME16+QFN
LMC6572BIM4338NSC14+SOP-14
LMC6482IMX2999NSC15+SOP-8
LM7301IM54926NSC15+SOT-23-5
PAL007A3260Transistor MOSFET14+FERMETURE ÉCLAIR
MS5540-CM6519MEASUYEME16+SMD
88AP270MA2-BHE1C520320MARVELL15+BGA
MT9171AN7471ZARLINK16+SSOP
MRF1846393MOT14+SMD
MURS14025000SUR16+DO-214
BGY68350014+MOKUAI
PESD5V2S2UT2500016+IVROGNE
LM26CIM5-TPA5000NSC14+SOT-23-5
CM1200HB-66H213MITSUBI14+MODULE
LPC11C24FBD48483315+LQFP-48
CM30TF-24H313MITSUBI15+MODULE
7MBR50SB120230FUJI12+MODULE
MAX209EWG7850MAXIME14+CONCESSION
LXT970AQC4907LEVELONE10+QFP
MSP430FG4619IPZ6834TI16+LQFP
NCP1052ST136T3G9280SUR16+SOT-223
MAX17121ETG6550MAXIME16+QFN
MAC97A625000SUR16+TO-92
MPC89E58AF5910MEGAWIN16+PQFP
CS4398-CZZR2234CIRRUS15+TSSOP
LC4064V-75TN100-10I3070TRELLIS15+QFP
ME0550-02DA595IXYS14+IGBT
MDD26-14N1B5902IXYS16+IGBT
MT9V024IA7XTM2499SUR15+BGA
MCC21-1408B4756IXYS14+IGBT
CM100DU-24NFH378MITSUBI15+MODULE
6RI100E-080958FUJI15+MODULE
PM150RSD060250MITSUBISH10+MOUDLE
PK160F-160120SANREX11+MODULE
LC5403081TI15+TSSOP
OP20FZ596ANNONCE16+CDIP
PCA9554PWR12420TI16+TSSOP
M1494NC180479WESTCODE14+MODULE
LM4890MM30000NSC15+MSOP-8
MHW6342T6304MOT15+CATV
CM450HA-5F233MITSUBI14+MODULE
PM200RSD060230MITSUBISH05+MOUDLE
PM200RSA060120MITSUBISH13+MOUDLE
MSM5219BGS-K-7550OKI14+QFP
PS11003-C500MITSUBISH12+MODULE
MB87020PF-G-BND3531FUJITSU14+QFP
MA28207689SHINDENG16+FERMETURE ÉCLAIR
7MBP150RTB060210FUJI12+MODULE
MBM200HS6B629HITACHI14+MODULE
PM25RSK120320MITSUBISH10+MOUDLE
QM150DY-H150MITSUBISH13+MODULE
PWB130A40120SANREX14+MODULE
LA11853928SANYO14+SIP9


FDS9945

transistor MOSFET de changement de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench du N-canal 60V

Caractéristiques

· 3,5 A, 60 V. le RDS (DESSUS) = 0.100W @ VGS = 10 V le RDS (DESSUS) = 0.200W @ VGS = 4.5V

· Optimisé pour l'usage en commutant des convertisseurs de DC/DC avec des contrôleurs de PWM

· Commutation rapide même

· Basse charge de porte.


Description générale

Ces le transistor MOSFET de niveau de logique de la Manche de N ont été conçus spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM.


La commutation plus rapide de caractéristique de transistor MOSFET et la charge inférieure de porte que l'autre transistor MOSFET avec des caractéristiques comparables du RDS (dessus)


Le résultat est un transistor MOSFET il est facile et plus sûr conduire que

(même aux hautes fréquences mêmes), et conceptions d'alimentation d'énergie de DC/DC avec une performance globale plus élevée.


China 60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche supplier

60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche

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