Transistor de transistor MOSFET de la puissance SGP02N120 S-IGBT rapide en TNP-technologie
Number modèle:SGP02N120
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120
S-IGBT rapide en TNP-technologie
• 40% Eoff inférieur comparé la génération précédente
• Temps de tenue de court-circuit – 10 µs
• Conçu pour :
- Contrôles de moteur
- Inverseur
- SMPS
• Offres de TNP-technologie :
- très fortement distribution de paramètre
- rugosité élevée, comportement stable de la température
- capacité de changement parallèle
Estimations maximum
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de collecteur-émetteur | VCE | 1200 | V |
Courant de collecteur de C.C Comité technique = 25°C Comité technique = 100°C | IC | 6,2 2,8 | |
| Le courant de collecteur pulsé, tp a limité par Tjmax | ICpuls | 9,6 | |
| Arrêtez le ≤ 1200V, le ≤ 150°C du secteur VCE d'opération sûre de Tj | 9,6 | ||
| tension de Porte-émetteur | VGE | ±20 | V |
| Énergie d'avalanche, impulsion simple IC = 2A, VCC = 50V, RGE = 25Ω, début Tj = 25°C | EAS | 10 | MJ |
| Le court-circuit résistent au temps1) VGE = 15V, 100V le ≤ 1200V, le ≤ 150°C du ≤ VCC de Tj | centre technique | 10 | µs |
| Dissipation de puissance comité technique = 25°C | Ptot | 62 | W |
| Jonction et température de stockage fonctionnantes | Tj, Tstg | -55… +150 | °C |
| La température de soudure, 1.6mm (0,063 po.) du point de droit pour 10s | 260 | °C |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | FREESCALE | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | PUCE | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | PUCE | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | PUCE | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | PUCE | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | PUCE | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I/TT | 22350 | PUCE | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | PUCE | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | PUCE | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | PUCE | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | PUCE | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | PUCE | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | PUCE | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | PUCE | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | PUCE | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | PUCE | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN | 7708 | PUCE | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO | 8974 | PUCE | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551-I/SN | 7779 | PUCE | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN | 3957 | PUCE | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5841 | PUCE | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5770 | PUCE | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | PUCE | 15+ | IMMERSION |
| MCP3421AOT-E/CH | 12828 | PUCE | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN | 3875 | PUCE | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424-E/SL | 8273 | PUCE | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551-E/SN | 7817 | PUCE | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN | 4450 | PUCE | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100-I/SN | 3572 | PUCE | 15+ | SOP-8 |
| MCP42010-I/P | 12118 | PUCE | 16+ | DIP-14 |
| MCP4725AOT-E/CH | 6616 | PUCE | 15+ | SOT23-5 |
| MCP4728AOT-E/UN | 4184 | PUCE | 12+ | MSOP |
Transistor de transistor MOSFET de la puissance SGP02N120 S-IGBT rapide en TNP-technologie
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