SI7336ADP-T1-E3 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)
Number modèle:SI7336ADP-T1-E3
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)
CARACTÉRISTIQUES
• disponible sans halogène
• Sur-résistance très réduite utilisant la GEN haute densité II de TrenchFET® Technologie de transistor MOSFET de puissance
•Qg a optimisé
• Nouveau bas paquet de PowerPAK® de résistance thermique avec le bas profil de 1,07 millimètres
• 100 % Rg examiné
• 100 % UIS examiné
APPLICATIONS
• Conversion du côté bas de DC/DC
- Carnet
- Serveur
- Poste de travail
VENTRES de CAPACITÉS ABSOLUES = °C 25, sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Limites | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 30 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ± 20 | |
Courant continu de drain (TJ = °C 150) a VENTRES = °C 25 VENTRES = °C 70 | Identification | 30 25 | |
| Courant pulsé de drain (durée d'impulsion de 10 µs) | IDM | 70 | |
| Courant de source continu (conduction de diode) a | EST | 4,5 | |
| Courant d'avalanche L = 0,1 MH | IAS | 50 | |
Puissance maximum Dissipationa VENTRES = °C 25 VENTRES = °C 70 | Palladium | 5,4 3,4 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, Tstg | - 55 150 | °C |
| Recommandations de soudure (la température maximale) b, c | 260 |
BULLETIN DE LA COTE
| LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | DIP-24 |
| PCA82C250T | 11860 | 16+ | CONCESSION | |
| P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | TO-220 |
| PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | PUCE | 15+ | TQFP-100 |
| MC7805CDTRK | 10000 | SUR | 16+ | IVROGNE |
| LM4755T | 975 | NSC | 14+ | TO-263 |
| M93C06-MN6T | 10000 | St | 16+ | CONCESSION |
| NAND128W3A2BN6E | 5680 | St | 16+ | TSOP |
| PMEG3005EH | 25000 | 15+ | SOD-123 | |
| LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | ZIP-10 |
| BTB24-600BWR | 3389 | St | 14+ | TO-220 |
| PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
| LTC4252-2IMS | 6402 | LINÉAIRE | 15+ | MSOP-10 |
| LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | SIP-12 |
| PN100 | 5000 | FSC | 16+ | TO-92 |
| MAT01GH | 2200 | ANNONCE | 15+ | BOÎTE |
| MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | IMMERSION |
| ATXMEGA64A3-AU | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
| ATXMEGA64A1-AU | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
| LM2841XMKX-ADJ | 3000 | TI | 14+ | TSOT-23-6 |
| LTC2250CUH | 1655 | LINÉAIRE | 14+ | QFN |
| P1014AP06 | 8580 | SUR | 16+ | IMMERSION |
| ZTX550STOA | 3000 | ZETEX | 12+ | TO-92 |
| MIC29301-5.0BU | 6424 | MICREL | 16+ | TO-263 |
| ML4800CP | 11000 | FAIRCHILD | 16+ | IMMERSION |
| LTC1257CS8 | 15098 | LINÉAIRE | 16+ | CONCESSION |
| NBB-500 | 6480 | RFMD | 15+ | SMT |
| M51207L | 3438 | MIT | 15+ | PETITE GORGÉE |
| M54525P | 3269 | MIT | 16+ | IMMERSION |
| MCP3208-CI/SL | 5296 | PUCE | 16+ | CONCESSION |
| PTH08T240WAD | 500 | TI | 14+ | IMMERSION |
| MAX9602EUG | 2603 | MAXIME | 14+ | TSSOP |
| OP184ES | 5920 | ANNONCE | 16+ | CONCESSION |
| LMP8640MKE-F/NOPB | 3853 | TI | 15+ | SOT-6 |
| LT6350IMS8 | 4990 | LINÉAIRE | 15+ | MSOP |
| LTC3612EFE | 6649 | LINÉAIRE | 16+ | TSSOP |
| PM7226HP | 800 | L'ADI | 08+ | DIP-20 |
| LM833MM | 3896 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| PGH1008AM | 1370 | NIEC | 14+ | MODULE |
| NCP1337DR2G | 10960 | SUR | 16+ | SOP-7 |
| NCP1203D60R2G | 10720 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| ZXMP3A17E6TA | 6000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| MAX3083ESD | 9400 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| NFE61PT102E1H9L | 10000 | MURATA | 16+ | SMD |
| ZXMN3A03E6TA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| LM2937ES-5.0 | 6354 | NSC | 14+ | TO-263 |
| OB3316QPA | 5680 | ON-BRIGHT | 16+ | CONCESSION |
| 151007 | 310 | HITACHI | 10+ | SOP-20 |
SI7336ADP-T1-E3 transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET du N-canal 30-V (D-S)
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