Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23

Number modèle:BFQ67W
Point d'origine:NC
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:30000PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23


Caractéristiques

• Petite capacité de retour

• Figure faible bruit

• Haute fréquence de transition

• Composant sans d'avance (Pb)

• Composant dans l'accord RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC


Applications

Petits amplificateurs faible bruit de signal jusqu' 2 gigahertz. Ce transistor a le chiffre de bruit supérieur et la représentation associée de gain aux fréquences de fréquence ultra-haute, de VHF et micro-ondes.


Type de données mécanique :

Cas BFQ67 : Poids du boîtier en plastique SOT-23 : inscription de mg approximativement 8,0 : Goupiller V2 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = type d'émetteur : Cas de BFQ67R : Poids du boîtier en plastique SOT-23 : inscription de mg approximativement 8,0 : Goupiller R67 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = type d'émetteur : Cas de BFQ67W : Poids du boîtier en plastique SOT-323 : inscription de mg approximativement 6,0 : Goupiller WV2 : 1 = collecteur, 2 = base, 3 = émetteur


Capacités absolues

Tamb = °C 25 sauf indication contraire


ParamètreSybolValeurUnité
Tension de collecteur-baseVCBO20V
Tension de collecteur-émetteurVCEO10V
tension d'Émetteur-baseVEBO2,5V
Courant de collecteurIC50mA
Dissipation de puissance totalePtot200mW
La température de jonctionPj150°C
Température ambiante de température de stockageTstg-65 +150°C

Une partie du bulletin de la cote

DS18B20+MAXIME1603TO-92
BTA41-800BRGSTM628TO-247
IRF740IR508DTO-220
FT231XS-RFTDI1605SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBOSAMSUNG549TSOP-48
B39440-X6764-N201EPSON2874SIP-5
LM3578AMNSCCSRCSOP-8
MAX489CPDMAXIME1618DIP-14
AT89C2051-24PUATMEL1506DIP-20
FR2JPANJIT1628SMB
UF5408VISHAY1632DO-201
SMAJ250ALITTLEFUSE16H128SMA
DS1603Dallas9944A1/102795DIP-7
93LC86C-I/SNPUCE1243SOP-8
SMF3.3.TCTSEMTECH1622/F03SC70-5
DS1338Z-33+TRMAXIME1630A3SOP-8
GQM1885C1H150GB01DMURATAIA6903WR4SMD0603
C0402C222K5RACTUKEMET1603SMD0402
GCM155R71H223KA55DMURATAIA6903WR4SMD0402
C1608X5R1A475K080ACTDKIB16C15763SDSMD0603
C0402C473K9RACTUKEMET1622SMD0402
C0402C472K5RACTUKEMET1603SMD0402
CC0805KKX7R6BB106YAGEO1618SMD0805
GRM31CR61E226KE15LMURATAIA6903WR4SMD1206
CC0402KRX7R7BB103YAGEO1618SMD0402
CC0603JRNP09BN120YAGEO1618SMD0603
CC0603KRX5R8BB105YAGEO1618SMD0603
RC0603FR-0715KLYAGEO1636SMD0603
RC0603FR-07232RLYAGEO1619SMD0603
RC0603FR-07240KLYAGEO1617SMD0603
China Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23 supplier

Transistor planaire complémentaire du silicium NPN rf de circuits intégrés de l'électronique de BFQ67W SOT-23

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