N - La Manche 600 V 2,0 ? Transistor NDD04N60ZT4G de transistor MOSFET de puissance élevée de l'ohm rf

Number modèle:NDD04N60ZT4G
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
Délai de livraison:1 jour
Contacter

Add to Cart

Membre actif
Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

N - La Manche 600 V 2,0 ? Transistor NDD04N60ZT4G de transistor MOSFET de puissance élevée de l'ohm rf


Caractéristiques

• Bas SUR la résistance

• Basse charge de porte

• Porte d'ESD Diode−Protected

• L'avalanche 100% a examiné

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme


NOTES :

1. CALCUL DES DIMENSIONS ET TOLERANCING PAR ASME Y14.5M, 1994. 2. DIMENSION DE CONTRÔLE : POUCES.

3. DÉCOUPE THERMIQUE de PROTECTION FACULTATIVE DANS LES DIMENSIONS b3, L3 et Z.

4. LES DIMENSIONS D ET E N'INCLUENT PAS L'ÉCLAIR, LES SAILLIES, OU LES BAVURES DE MOULE. L'ÉCLAIR DE MOULE, LES SAILLIES, OU LES BAVURES DE PORTE NE DÉPASSERONT PAS 0,006 POUCES PAR CÔTÉ.

5. LES DIMENSIONS D ET E SONT DÉTERMINÉES AUX EXTRÉMITÉS EXTÉRIEURES DU CORPS EN PLASTIQUE.

6. DATUMS A ET B SONT DÉTERMINÉS L'AVION H. DE LA DONNÉE.


BULLETIN DE LA COTE

OP07CSZ10000ANNONCE16+CONCESSION
Z84C0010VEG450ZILOG08+PLCC-44
LM7805AZ10000WST15+TO-252
MJE18008G68000SUR16+TO-220
MAX3241EUI+T1850MAXIME16+TSSOP
MT48LC4M16A2B4-6AIT : J7282MICRON14+FBGA
MBM29F800BA-70PFTN14812FUJITSU14+TSSOP
MR40306267SHINDENGE14+TO220-7
MS16496512MSC16+CAN-3
LTM8032EV843LINÉAIRE14+LGA
MAX9917EUB11518MAXIME16+MSOP
BTA208-800B1000014+TO-220
6MBP75RA060453FUJI15+MODULE
XL6005E12000XLSEMI15+TO252-5L
LM565H356NSC14+CAN-10
MG15N6ES42616TOSHIBA15+MODULE
BH3854AS450ROHM12+DIP-32
XC3S1500-5FGG456C200XILINX11+BGA
NJM4558L30000LE CCR16+SIP-8
LA18233994SANYO16+DIP-24
PCA82C250T1186016+CONCESSION
P1553ABL8700LITTELFUS16+TO-220
PIC32MX795F512L-80I/PF1500PUCE15+TQFP-100
MC7805CDTRK10000SUR16+IVROGNE
LM4755T975NSC14+TO-263
M93C06-MN6T10000St16+CONCESSION
NAND128W3A2BN6E5680St16+TSOP
PMEG3005EH2500015+SOD-123
LA42702641SANYO15+ZIP-10
BTB24-600BWR3389St14+TO-220
PKG4428PI80ERICSSON02+SMD
LTC4252-2IMS6402LINÉAIRE15+MSOP-10
LA44456010SANYO15+SIP-12
PN1005000FSC16+TO-92
MAT01GH2200ANNONCE15+BOÎTE
MIW3023404MINMAX16+IMMERSION
ATXMEGA64A3-AU500ATMEL10+QFP64
ATXMEGA64A1-AU1000ATMEL12+TQFP100
LM2841XMKX-ADJ3000TI14+TSOT-23-6
LTC2250CUH1655LINÉAIRE14+QFN


China N - La Manche 600 V 2,0 ? Transistor NDD04N60ZT4G de transistor MOSFET de puissance élevée de l'ohm rf supplier

N - La Manche 600 V 2,0 ? Transistor NDD04N60ZT4G de transistor MOSFET de puissance élevée de l'ohm rf

Inquiry Cart 0