Puissance élevée de changement de transistor de transistor MOSFET de puissance de MMBT4401LT1G palladium de 225 mW
Number modèle:MMBT4401LT1G
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Puissance élevée de changement de transistor de transistor MOSFET de puissance de MMBT4401LT1G palladium de 225 mW
Transistors haute tension
Silicium de NPN
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Ordre de dispositif | Type de paquet de nombre | † D'expédition |
| MMBT4401LT1 | SOT−23 (Pb−Free) | 3 000/bande et bobine |
| MMBT4401LT1G | (Pb−Free) | 3 000/bande et bobine |
| MMBT4401LT3 | SOT−23 (Pb−Free) | 10 000/bande et bobine |
Caractéristiques
• Le paquet de Pb−Free est disponible
NOTES :
1. CALCUL DES DIMENSIONS ET TOLERANCING PAR NORME ANSI Y14.5M, 1982.
2. DIMENSION DE CONTRÔLE : POUCE.
3. L'ÉPAISSEUR MAXIMUM D'AVANCE INCLUT L'ÉPAISSEUR DE FINITION D'AVANCE. L'ÉPAISSEUR MINIMUM D'AVANCE EST L'ÉPAISSEUR MINIMUM DE LA MATIÈRE PREMIÈRE.
4. LES DIMENSIONS D ET E N'INCLUENT PAS L'ÉCLAIR DE MOULE, LES SAILLIES, OU LES BAVURES DE PORTE.
CIRCUITS ÉQUIVALENTS DE CHANGEMENT D'ESSAI DE TEMPS
BULLETIN DE LA COTE
| RA60H4047M1 | 600 | MITSUBISH | 15+ | MODULE |
| LMZ14201TZX-ADJ | 834 | NSC | 12+ | TO-PMOD |
| LM2665M6 | 5242 | NSC | 14+ | SOT-23-6 |
| LT6700IS6-1 | 14658 | LT | 16+ | IVROGNE |
| LT4256-2IS8 | 6330 | LT | 16+ | CONCESSION |
| PCA9557PW | 12560 | TI | 16+ | TSSOP |
| PS11032-Y1 | 250 | MITSUBISH | 11+ | MODULE |
| SAB80C515-N | 1800 | SIEMENS | 02+ | PLCC |
| MC33077DR2G | 13142 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| PS223 | 5000 | PHISON | 10+ | LQFP-64 |
| BQ725 | 2135 | TI | 15+ | QFN |
| 2MBI150U2A-060 | 483 | FUJI | 12+ | MODULE |
| MAX6250BCSA | 3954 | MAXIME | 15+ | CONCESSION |
| BTA41-700B | 3587 | St | 15+ | TO-218 |
| MAX1736EUT42 | 6800 | MAXIME | 16+ | IVROGNE |
| PCM2902E | 6056 | TI | 14+ | SSOP |
| MSP3420GB8V3 | 6596 | MSP | 15+ | IMMERSION |
| LTV8141 | 10000 | LITEON | 16+ | IMMERSION |
| MAX6301CSA | 4076 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| LM2841XBMKX | 10188 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| LMC7111BIM5 | 10000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| LM3876T | 543 | NSC | 13+ | ZIP-11 |
| LMC6062AIM | 4239 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| LMV431BIMF | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
| MAX8682ETM | 5146 | MAXIME | 16+ | QFN |
| LMC6572BIM | 4338 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| LMC6482IMX | 2999 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| LM7301IM5 | 4926 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PAL007A | 3260 | Transistor MOSFET | 14+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| MS5540-CM | 6519 | MEASUYEME | 16+ | SMD |
| 88AP270MA2-BHE1C520 | 320 | MARVELL | 15+ | BGA |
| MT9171AN | 7471 | ZARLINK | 16+ | SSOP |
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | SUR | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI |
Puissance élevée de changement de transistor de transistor MOSFET de puissance de MMBT4401LT1G palladium de 225 mW
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