Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
Number modèle:MJD112T4G
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8600pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
DPAK pour les applications extérieures de bti
TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM
2 AMPÈRES
100 VOLTS
20 WATTS
Conçu pour la puissance d'usage universel et commuter tel que des étapes de sortie ou de conducteur dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs, et des amplificateurs de puissance.
Caractéristiques
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
• Avance formée pour les applications extérieures de bti dans des gaines plastiques (aucun suffixe)
• Version droite d'avance dans suffixe des gaines plastiques ("−1 »)
• Version formée par avance dans la bande de 16 millimètres et la bobine (« T4 » et suffixe de « RL »)
• Électriquement semblable la série TIP31 et TIP32 populaire
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | Maximum | Unité |
| Tension de Collector−Emitter | VCEO | 100 | Volts continu |
| Tension de Collector−Base | VCB | 100 | Volts continu |
| Tension d'Emitter−Base | VEB | 5 | Volts continu |
− de courant de collecteur continu Crête | IC | 2 4 | CDA |
| Courant bas | IB | 50 | mAdc |
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C | Palladium | 20 0,16 | W W/°C |
Puissance totale Dissipation* @ MERCI = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C | Palladium | 1,75 0,014 | W W/°C |
| Température ambiante de jonction d'opération et de stockage | TJ, Tstg | −65 +150 | °C |
Les estimations maximum sont ces valeurs au del de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
DIAGRAMMES DE REPÉRAGE
DIMENSIONS DE PAQUET
DPAK
CAS 369C
QUESTION O
DPAK−3
CAS 369D−01
QUESTION B
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire
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