GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo
Number modèle:TLP734
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6800pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Photocoupleur GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Équipement de bureau
Équipement d'utilisation de ménage
Relais semi-conducteur
Alimentation d'énergie de changement
TOSHIBA TLP733 et TLP734 se composent d'un photo−transistor optiquement couplé une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium dans de l'IMMERSION en plastique six avances.
TLP734 est connexion interne de no−base pour des environnements de high−EMI.
- Tension de Collector−emitter : 55 V (mn) ?
- Rapport de transfert courant : 50% (mn)
- Grade gigaoctet : 100% (mn) ?
- L'UL a reconnu : UL1577, no. E67349 de dossier ?
- Le BSI a approuvé : LES BS EN60065 : 1994
- No. 7364 de certificat
- LES BS EN60950 : 1992
- No. 7365 de certificat ?
- SEMKO a approuvé : SS4330784
- No. 9325163, 9522142 de certificat ?
- Tension d'isolement : 4000 Vrms (mn) ?
- Type de l'option (D4)
- Le VDE a approuvé : DIN VDE0884/06,92,
- No. 74286, 91808 de certificat
- Tension fonctionnante maximum d'isolation : 630, 890 VPK
- Le plus haut permis au-dessus de la tension : 6000, 8000 VPK
- Le VDE a approuvé : DIN VDE0884/06,92,
(Note) quand un VDE0884 a approuvé le type est nécessaire, indiquent svp la « option (D4) »
lancement de 7,62 millimètres lancement de 10,16 millimètres
de type courant Type de TLP×××F ?
Ligne de fuite : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)
Dégagement : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)
Chemin interne d'ascension : 4,0 millimètres (mn) 4,0 millimètres (mn)
Épaisseur d'isolation : 0,5 millimètres (mn) 0,5 millimètres (mn)
Estimations maximum (merci = 25°C)
| Caractéristique | Symbole | Estimation | Unité | |
| LED | Courant en avant | SI | 60 | mA |
| Sous-sollicitation actuelle en avant (≥ de ventres 39°C) | ∆IF/°C | ? -0,7 | mA/°C | |
| Crête en avant actuelle (impulsion de 100 µs, 100 PPS) | IFP | 1 | ||
| Tension inverse | VR | 5 | V | |
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | |
| Détecteur | Collecteur ? tension d'émetteur | VCEO | 55 | V |
| Collecteur ? tension basse (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| Émetteur ? tension de collecteur | VECO | 7 | V | |
| Émetteur ? tension basse (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Courant de collecteur | IC | 50 | mA | |
| Dissipation de puissance | PC | 150 | mW | |
| Dissipation de puissance sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | - ? 55~125 | °C | |
| Gamme de température de fonctionnement | Topr | ? -40~100 | °C | |
| La température de soudure d'avance (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Dissipation de puissance totale de paquet | Pinte | 250 | mW | |
| Dissipation de puissance totale de paquet sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Tension d'isolement (C.A., 1 mn, R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Poids : 0,42 g
Pin Configurations (vue supérieure)
TLP733
1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : Base
TLP734
1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : OR
GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo
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