Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Number modèle:BSS138LT1G
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
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Transistor MOSFET de puissance 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23


Les applications typiques sont les convertisseurs de DC−DC, gestion de puissance dans les produits portatifs et battery−powered les téléphones tels que des ordinateurs, des imprimantes, de PCMCIA cartes, cellulaires et sans fil.


Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Basse tension de seuil (VGS (Th) :

0,5 V−1.5 V) le rendent idéal pour des applications de basse tension

• Le paquet extérieur miniature du bti SOT−23 ménage de l'espace de conseil


NOTES :

1. CALCUL DES DIMENSIONS ET TOLERANCING PAR NORME ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSION DE CONTRÔLE : POUCE.

3. L'ÉPAISSEUR MAXIMUM D'AVANCE INCLUT L'ÉPAISSEUR DE FINITION D'AVANCE. L'ÉPAISSEUR MINIMUM D'AVANCE EST L'ÉPAISSEUR MINIMUM DE LA MATIÈRE PREMIÈRE.

4. 318−03 ET −07 OBSOLÈTES, NOUVEAU 318−08 STANDARD.


ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = 25°C sauf indication contraire)


EstimationSymboleValeurUnité
Tension de Drain−to−SourceVDSS50Volts continu
− de tension de Gate−to−Source continuVGS± 20Volts continu
Dissipation de puissance totale @ MERCI = 25°CPalladium225mW
Température ambiante d'opération et de température de stockageTJ, Tstg− 55 150°C
− Junction−to−Ambient de résistance thermiqueRJA556°C/W
La température maximum d'avance pour le soudure, pendant 10 secondesTL260°C

China Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 supplier

Transistor MOSFET de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

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