Transistor à effet de champ vert de commutateur électrique de Fairchild de mode, FSDM0465RBWDTU
Number modèle:FSDM0465R
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5600pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse:
Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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Détails du produit
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Détails du produit
Transistor effet de champ vert de commutateur électrique de
Fairchild de mode, FSDM0465R
de caractéristiques
- rocailleux de SenseFET d'avalanche interne
- Bas de démarrage du courant (40µA maximal)
- Consommation de puissance faible ; sous 1W 240VAC et 0.4W chargez le
- Opération fixe précise
- Modulation de fréquence de de la fréquence (66kHz) pour le bas d'IEM
- (réglable) limiteur actuel d'Impulsion-par-impulsion
- de la protection de surtension (OVP)
- de la protection de surcharge (OLP)
- thermique de la fonction d'arrêt (DST)
- de mode de redémarrage automatique
- Le sousvoltage ferment clef (UVLO) avec le d'hystérésis
- Doux-commencement intégré (15ms)
d'applications
- SMPS pour le de magnétoscope, de SVR, de STB, de DVD, et de DVCD
- d'adaptateur
- SMPS pour le moniteur d'affichage cristaux liquides
relatif de notes d'application
- AN-4137 : Directives de conception pour les convertisseurs en différé de retour rapide utilisant le du commutateur électrique de Fairchild (FPS)
- AN-4140 : Considération de conception de transformateur pour les convertisseurs en différé de retour rapide utilisant le commutateur électrique de Fairchild
- AN-4141 : Astuces de dépannage et de conception pour le d'applications de retour rapide de commutateur électrique de Fairchild
- AN-4148 : Techniques audibles de réduction du bruit pour des applications de FPS
Description
Le FSCM0465R est un modulateur intégré de largeur d'impulsion (PWM)
et SenseFET spécifiquement conçu pour les alimentations d'énergie
en différé performantes de mode de commutateur (SMPS) avec les
composants externes minimaux. Ce dispositif est un régulateur
powerswitching haute tension intégré qui combine une avalanche
SenseFET rocailleux avec un bloc de gestion actuel du mode PWM. Le
contrôleur de PWM inclut un oscillateur frèquence fixe intégré, un
lock-out de sousvoltage, un bord d'attaque masquant (LEB), un
conducteur optimisé de porte, un doux-commencement interne, des
sources actuelles précises température compensée pour une
compensation de boucle, et des circuits d'autoprotection. Comparé
la solution d'un contrôleur discret de transistor MOSFET et de PWM,
il peut réduire le coût total, le nombre de composants, la taille,
et le poids tout en simultanément augmentant l'efficacité, la
productivité, et la fiabilité du système. Ce dispositif est une
plate-forme de base bien adaptée pour des conceptions rentables des
convertisseurs de retour rapide.
Capacités absolues
« Les capacités absolues » sont ces valeurs au del dont la sécurité
du dispositif ne peut pas être garantie. Le dispositif ne devrait
pas être actionné ces limites. Les valeurs paramétriques définies
dans les tables électriques de caractéristiques ne sont pas
garanties aux capacités absolues.
VENTRES = 25°C sauf indication contraire.
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source (1) | 650 | V | |
| VDGR | Tension de Drain-porte (RGS =1MΩ) | 650 | V | |
| VGS | Tension de la Porte-source (la terre) | ±30 | V | |
| IDM | Vidangez actuel pulsé (2) | 16 | CDA | |
| Identification | Courant continu de drain | T C = 25°C | 4,0 | CDA |
| T C = 100°C | 2,5 | CDA | ||
| Courant continu de drain (D2-PAK-6L) | T C = 25°C | 2,3 | CDA | |
| T C = 100°C | 1,4 | CDA | ||
| VCC | Tension d'alimentation | 20 | V | |
| VFB | Chaîne de tension de retour | -0,3 VCC | V | |
| Palladium | Dissipation de puissance totale (TO-220-6L) | 140 | W | |
| Sous-sollicitation | -1,1 | W/°C | ||
| Palladium | Dissipation de puissance totale (I2-PAK-6L) | 75 | W | |
| Sous-sollicitation | -1,5 | W/°C | ||
| Palladium | Dissipation de puissance totale (D2-PAK-6L) | 80 | W | |
| Sous-sollicitation | -0,64 | W/°C | ||
| TJ | La température de jonction fonctionnante | Intérieurement limité | °C | |
| MERCI | Température ambiante fonctionnante | -25 +85 | °C | |
| TSTG | Température de stockage | -55 +150 | °C | |
| Capacité d'ESD, modèle de HBM (toutes les goupilles excepté Vfb) | 2,0 (La terre-Vfb = 1.5kV) (VCC-Vfb = 1.0kV) | kilovolt | ||
| Capacité d'ESD, modèle de machine (toutes les goupilles excepté Vfb) | 300 (La terre-Vfb = 250V) (VCC-Vfb = 100V) | V | ||
Notes : 1. Tj = 25°C 150°C
2. estimation répétitive : Largeur d'impulsion limitée par la
température de jonction maximum
3. T C : Température de surface arrière de cas avec le radiateur infini
Circuit typique
Application typique de retour rapide du schéma 1.
Schéma fonctionnel interne
Schéma fonctionnel fonctionnel du schéma 2. de FSCM0465R
Pin Configuration
Le schéma 3. Pin Configuration (vue supérieure)
Transistor à effet de champ vert de commutateur électrique de Fairchild de mode, FSDM0465RBWDTU
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