La TENSION de transistor de transistor MOSFET de puissance de MLP1N06CLG A MAINTENU le mosfe LIMITEUR ACTUEL de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET

Number modèle:MLP1N06CLG
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:1 jour
Contacter

Add to Cart

Membre actif
Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Intérieurement maintenu, transistor MOSFET de puissance de niveau de logique de N-canal de Current Limited


Ces dispositifs de SMARTDISCRETES comportent la limitation actuelle pour la protection de court-circuit, une bride intégrale de porte--source pour la protection d'ESD et la bride de porte--drain pour la protection de surtension. Aucune résistance de série supplémentaire de porte n'est exigée quand l'interface la sortie d'un MCU, mais une résistance d'avancement du film de porte de 40 kΩ est recommandée pour éviter un état de flottement de porte.


Les brides internes de porte--source et de porte--drain permettent aux dispositifs d'être appliqués sans utilisation des composants passagers externes de suppression. Porte- la bride de source protège l'entrée de transistor MOSFET contre des contraintes de tension électrostatiques de porte jusqu' 2,0 kilovolts. La bride de porte--drain protège le transistor MOSFET s'écoulent les efforts d'avalanche de drain qui se produisent avec les charges inductives. Cette conception unique fournit le fixage de tension qui est essentiellement indépendant de température de fonctionnement.


• La bride température compensée de Porte--drain limite la contrainte de tension appliquée au dispositif et protège la charge contre la surtension

• Protection intégrée de diode d'ESD

• La commutation commandée réduit au minimum des IFR

• La basse tension de seuil permet les charges de interface de puissance aux microprocesseurs


ESTIMATIONS MAXIMUM

EstimationSymboleValeurUnité
Tension de Drain--sourceVDSSMaintenuVolts continu

Tension de Drain--porte

(RGS = 1,0 MΩ)

VDGRMaintenuVolts continu

Tension de Porte--source

— Continu

VGS±10Volts continu
Vidangez actuel — Courant continu de drain — Impulsion simple

Identification

IDM

1,8 Auto-limitésCDA
Dissipation de puissance totalePalladium40Watts
Tension de décharge électrostatique (modèle de corps humain)ESD2,0kilovolt
Température ambiante de jonction d'opération et de stockageTJ, Tstg– 50 150°C

BULLETIN DE LA COTE

NL17SZ74USG10000SUR16+US8
MC9S08AC32CFUE4546FREESCALE12+QFP
MAR-4SM2912MINI16+IVROGNE
MRF9030LR1647FREESCALE13+NI-360
MRF373AL442FSL16+SMD
L6205N2168St15+IMMERSION
MC9S08JM60CLD4600FREESCALE14+LQFP
MCP6002-I/P10000PUCE16+IMMERSION
PIC12F609-I/SN5712PUCE16+CONCESSION
CY7C65215-32LTXI2575CYPRESS15+QFN32
OPA227U6800TI13+CONCESSION
MIC4680YM10000MICREL16+CONCESSION
MBR130T1G25000SUR15+SOD-123
PIC18F2220-I/SP4668PUCE15+IMMERSION
MAX253CSA+T8650MAXIME14+CONCESSION
PE-680685600IMPULSION16+SMD
MC34072PG3436SUR10+IMMERSION
MC14046BCP3424SUR10+IMMERSION
PIC18F24J10-I/SO4623PUCE10+CONCESSION
LMH0041SQE/NOPB763TI14+WQFN-48
MC78L05ACHX30000FAIRCHILD10+SOT-89
PIC16F1827-I/SO5288PUCE16+CONCESSION
MIC5205-3.3YM538000MICREL16+SOT23-5
LNK625DG6561PUISSANCE14+SOP-7
PCI9656-BA66BIG340PLX14+BGA
NCP500SN18T1G10000SUR16+SOT23-5
China La TENSION de transistor de transistor MOSFET de puissance de MLP1N06CLG A MAINTENU le mosfe LIMITEUR ACTUEL de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET supplier

La TENSION de transistor de transistor MOSFET de puissance de MLP1N06CLG A MAINTENU le mosfe LIMITEUR ACTUEL de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET

Inquiry Cart 0