Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

Number modèle:MRF9030
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7800pcs
Délai de livraison:1 jour
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Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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La ligne submicronique de transistor MOSFET de rf

TRANSISTORS EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE DE RF

Transistors MOSFET latéraux d'Amélioration-mode de N-canal


945 mégahertz, 30 W, 26 transistors MOSFET BANDE LARGE de PUISSANCE du N-CANAL rf de PARTIE LATÉRALE de V


Conçu pour des applications commerciales et industrielles bande large avec des fréquences jusqu' 1,0 gigahertz. La représentation gain élevé et bande large de ces dispositifs les rendent idéaux pour le grand-signal, applications d'amplificateur de commun-source dans l'équipement de station de base de 26 volts.

• Deux typiques Tone Performance 945 mégahertz, 26 volts

De puissance de sortie — 30 watts de PEP

Gain en puissance — DB 19

Efficacité — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Protection intégrée d'ESD

• Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion

• Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 26 volts continu, 945 mégahertz, 30 watts d'onde entretenue de puissance de sortie

• Excellente stabilité thermique

• Caractérisé avec des paramètres équivalents d'impédance de Grand-signal de série

• Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.


ESTIMATIONS MAXIMUM

EstimationSymboleValeurUnité
Tension de Drain-sourceVDSS68Volts continu
Tension de Porte-sourceVGS– 0,5, +15Volts continu

Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030R1

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Palladium

92

0,53

Watts

W/°C

Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030SR1

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Palladium

117

0,67

Watts

W/°C

Température ambiante de température de stockageTstg– 65 +200°C
La température de jonction fonctionnanteTJ200°C

DIMENSIONS DE PAQUET


Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.Q'tyMFGD/CPaquet
BFU710F1500015+SOT-343
PIC16F526-I/SL5193PUCE16+CONCESSION
LM810M3X-4.6310000NSC15+SOT-23-3
M95020-WMN6TP10000St16+CONCESSION
M93S46-WMN64686St10+CONCESSION
MCT6110000FSC16+DIP-8
MAX809LEUR+T10000MAXIME16+IVROGNE
52271-20793653MOLEX15+connecteur
ZVP3306FTA9000ZETEX15+SOT23
MBR10100G15361SUR16+TO-220
NTR2101PT1G38000SUR16+SOT-23
MBRD640CTT4G17191SUR16+TO-252
NTR4501NT1G38000SUR15+SOT-23
LM8272MMX1743NSC15+MSOP-8
NDT01410000FAIRCHILD14+SOT-223
LM5007MM1545NSC14+MSOP-8
NRF24L01+3840NORDIQUE10+QFN
MI1210K600R-1030000ADMINISTRATEUR16+SMD
A3144E25000ALLÉGRO13+TO-92
MP3V5004DP5784FREESCALE13+CONCESSION

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Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

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