TRANSISTOR de transistor de transistor MOSFET de puissance de module de transistor MOSFET de la puissance STD4NK60ZT4 | Transistor MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
Number modèle:STD4NK60ZT4
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8700pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CANAL 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESHTMPower
■Ω 1,76 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME
DESCRIPTION
La série de SuperMESHTM est obtenue par une optimisation extrême de
la disposition stripbased bien établie de PowerMESHTM du St. En
plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est
pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les
applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme
complète de St des transistors MOSFET haute tension comprenant les
produits révolutionnaires de MDmeshTM.
APPLICATIONS
■COMMUTATION FORTE INTENSITÉ ET GRANDE VITESSE
■IDÉAL POUR LES ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE, LES ADAPTATEURS ET LE PFC
EN DIFFÉRÉ
■ÉCLAIRAGE
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | ||
| STP4NK60Z STB4NK60Z | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Tension de source de porte | ± 30 | V | ||
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (l) | Courant de drain (pulsé) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Dissipation totale comité technique = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Tension de tenue d'isolation (C.C) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | La température de jonction fonctionnante Température de stockage | -55 150 -55 150 | °C °C | ||
(l) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) a limité seulement par la température maximale laissée
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| LMV931MG | 3299 | NSC | 15+ | SC70-5 |
| MC33887VM | 3328 | MC | 16+ | HSOP |
| OPA277PA | 7240 | TI | 15+ | IMMERSION |
| LT1114S14#TR | 5182 | LT | 10+ | SOP-14 |
| MC44BS373CADR2 | 3544 | FREESCALE | 10+ | CONCESSION |
| MAX5024LASA+ | 14550 | MAXIME | 16+ | CONCESSION |
| LNBH23LQTR | 1272 | St | 14+ | QFN-32 |
| 88E6185-A2-LKJ1C000 | 1211 | MARVELL | 15+ | QFP |
| LM348MX | 6789 | NSC | 13+ | SOP-14 |
| AZ1084CD-ADJTRG1 | 1500 | BCD | 13+ | TO-252 |
| LP3990MFX-3.3 | 4682 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PIC16F616T-I/ML | 5163 | PUCE | 16+ | QFN |
| AAT4280IGU-1-T1 | 4000 | ANALOGIQUE | 15+ | SOT23 |
| PAM3116BLBADJR | 10800 | PAM | 16+ | CONCESSION |
| L1117LG | 10000 | NIKOS | 15+ | SOT-223 |
| MMBFJ310LT1G | 10000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| LMV824MX/NOPB | 4163 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| MAX-7Q-0-000 | 7492 | MAXIME | 14+ | GPS |
| LM2907MX-8 | 1000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| OM8744HN | 5740 | 16+ | QFN | |
| PIC16F1939-I/PT | 5223 | PUCE | 16+ | QFP |
TRANSISTOR de transistor de transistor MOSFET de puissance de module de transistor MOSFET de la puissance STD4NK60ZT4 | Transistor MOSFET | N-CANAL | TO-252AA
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