Mettez-vous les transistors en court-circuit Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance

Number modèle:VND3NV0413TR
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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Mettez-vous les transistors en court-circuit Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance


Caractéristiques


TypeLe RDS (dessus)IlimVclamp

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

mΩ 1203,5 A40 V

■Limitation actuelle linéaire

■Arrêt thermique

■Protection de court-circuit

■Bride intégrée

■ faible intensité tiré de la goupille d'entrée

■Retour diagnostique par la goupille d'entrée

■Protection d'ESD

■Accès direct la porte du transistor MOSFET de puissance (entraînement d'analogue)

■Compatible avec le transistor MOSFET standard de puissance conformément. - la directive 2002/95/E européenne


Description

Les VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, sont les dispositifs monolithiques conçus en technologie de STMicroelectronics VIPower M0-3, destinée au remplacement des transistors MOSFET standard de puissance du C.C des applications de jusqu' 50 kilohertz. Construit dans l'arrêt thermique, la limitation actuelle linéaire et la bride de surtension pour protéger la puce dans les environnements durs.


Le retour de défaut peut être détecté en surveillant la tension la goupille d'entrée.


Résumé de dispositif

PaquetCodes d'ordre
TubeTube (sans plomb)Bande et bobineAttachez du ruban adhésif et tournoyez (sans plomb)
SOT-223VNN3NV04-VNN3NV0413TR-
SO-8VNS3NV04-VNS3NV0413TR-
TO-252VND3NV04VND3NV04-EVND3NV0413TRVND3NV04TR-E

Schéma fonctionnel et description de goupille


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Mettez-vous les transistors en court-circuit Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance

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