Transistor de transistor MOSFET de puissance de HEXFET, module IRF7329TRPBF de transistor MOSFET de puissance
Number modèle:IRF7329
Point d'origine:La Thaïlande
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor de transistor MOSFET de puissance de HEXFET, module IRF7329 de transistor MOSFET de puissance
? Technologie de fossé ?
Sur-résistance très réduite
? Double transistor MOSFET de P-canal
?
Profil bas (<1>
Disponible dans la bande et la bobine ?
Sans plomb
Description
Les nouveaux transistors MOSFET de puissance du P-canal HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la conception robuste de dispositif pour laquelle les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications. Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice le rendant idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour la phase vapeur, l'infrarouge, ou la technique de soudure de vague
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
| VDS | Tension de source de drain | -12 | V |
| VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ -4.5V | -9,2 | |
| Identification @ TA= 70°C | Courant continu de drain, VGS @ -4.5V -7,4 | -7,4 | |
| IDM | Courant pulsé de drain ? | -37 | |
| Palladium @TA = 25°C | Dissipation de puissance ? | 2,0 | W |
| Palladium @TA = 70°C | Dissipation de puissance ? | 1,3 | |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 16 | mW/°C | |
| VGS | Tension de Porte--source | ± 8,0 | V |
| TJ, TSTG | Température ambiante de jonction et de température de stockage | -55 + 150 | °C |
Transistor de transistor MOSFET de puissance de HEXFET, module IRF7329TRPBF de transistor MOSFET de puissance
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