Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité
Number modèle:2SC5707
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Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation forte intensité
Applications
• Convertisseur de C.C/C.C, conducteurs de relais, conducteurs de lampe, conducteurs de moteur, éclair
Caractéristiques
• Adoption des processus de FBET et de MBIT.
• Grande capacité actuelle.
• Basse tension de saturation de collecteur--émetteur.
• Commutation ultra-rapide.
• Dissipation de puissance permise élevée.
Caractéristiques () : 2SA2040
| Paramètre | Symbole | Conditions | Estimations | Unité |
| Tension de Collecteur--base | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
| Tension de Collecteur--émetteur | VCES | -- | (--50) 100 | V |
| Tension de Collecteur--émetteur | VCEO | -- | (--) 50 | V |
| Tension d'Émetteur--base | VEBO | -- | (--) 6 | V |
| Courant de collecteur | IC | -- | (--) 8 | |
| Courant de collecteur (impulsion) | ICP | -- | (--) 11 | |
| Courant bas | IB | -- | (--) 2 | |
| Dissipation de collecteur | PC | -- Tc=25°C | 1,0 15 | W W |
| La température de jonction | Tj | -- | 150 | °C |
| Température de stockage | Tstg | -- | --55 +150 | °C |
| Paramètre | Symbole | Conditions | mn. | Type. | maximum. | unité |
| Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB = (--) 40V, IE =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB = (--) 4V, IC =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Gain actuel de C.C | hFE | VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| Produit de Gain-largeur de bande | pi | VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | Mégahertz |
| Capacité de sortie | Épi | VCB = (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | PF |
| Collecteur--émetteur Tension de saturation | VCE (s'est reposé) 1 VCE (s'est reposé) 2 | IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- -- | (--230) 160 (--240) 110 | (--390) 240 (--400) 170 | système mv système mv |
| Base--Emitterr la saturation Tension | VBE (s'est reposé) | IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
| Tension claque de Collecteur--base | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA, IE =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Tension claque de Collecteur--émetteur | V (BR) CES | IC = (--) 100µA, RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Tension claque de Collecteur--émetteur | PRÉSIDENT DE V (BR) | IC = (--) 1mA, =∞ de RBE | (--) 50 | -- | -- | V |
| Tension claque d'Émetteur--base | V (BR) EBO | IE = (--) 10µA, IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
| Temps d'ouverture | tonne | See a spécifié le circuit d'essai. | -- | (40) 30 | -- | NS |
| Temps d'entreposage | tstg | See a spécifié le circuit d'essai. | -- | (225) 420 | -- | NS |
| Temps de chute | tf | See a spécifié le circuit d'essai. | -- | 25 | -- | NS |
Dimensions de paquet Dimensions de paquet
unité : millimètre unité : millimètre
7518-003 7003-003
Circuit de changement d'essai de temps
Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité
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