Transistor MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 de signal de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2N7002LT1G petit
Number modèle:2N7002LT1G
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8600pcs
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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2N7002L
Petit transistor MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 de signal
Caractéristiques
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
| V (BR) SAD | Le RDS (dessus) max | IDENTIFICATION MAX |
| 60 V | 7,5 ? @ 10 V, 500 mA | 115 mA |
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de Drain−Source | VDSS | 60 | Volts continu |
| Tension de Drain−Gate (RGS = 1,0 M ?) | VDGR | 60 | Volts continu |
Vidangez actuel − continu comité technique = 25°C (note 1) − continu comité technique = 100°C (note 1) − pulsé (note 2) | Identification Identification IDM | ±115 ±75 ±800 | mAdc |
Tension de Gate−Source − continu − Non−repetitive (μs de ≤ 50 de tp) | VGS VGSM | ±20 ±40 | Volts continu Vpk |
Les estimations maximum sont ces valeurs au del de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
DIMENSIONS DE PAQUET
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| MP2104DJ-1.8 | 5735 | MP | 16+ | IVROGNE |
| MP2104DJ-LF-Z | 10000 | MP | 16+ | IVROGNE |
| MAX3221IPWR | 10300 | TI | 15+ | TSSOP |
| BD82NM70 SLJTA | 549 | INTEL | 13+ | BGA |
| PIC32MX564F128L-I/PT | 500 | PUCE | 15+ | TQFP-100 |
| ATTINY2313-20SU | 3779 | ATMEL | 15+ | SOP-20 |
| LT1761ES5-3.3#TR | 10610 | LT | 16+ | SOT-23-5 |
| NUP2105LT1G | 30000 | SUR | 16+ | SOT23-6 |
| PDS1040L-13 | 13780 | DIODES | 16+ | SMD |
| LM335M | 4854 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| MIC94052YC6 | 6718 | MIC | 16+ | SC70-5 |
| MC74VHC1G04DTT1 | 10000 | SUR | 16+ | IVROGNE |
| LP38501TJ-ADJ | 634 | TI | 14+ | TO-263 |
| LP5951MGX-2.5 | 5596 | NSC | 15+ | SC70-5 |
| MJE18008 | 65000 | SUR | 15+ | TO-220 |
| LP3872EMPX-3.3 | 3743 | NSC | 15+ | SOT-223 |
| ABS25-32.768KHZ-6-T | 3000 | ABRACON | 15+ | SMD |
| PIC10F206T-I/OT | 9000 | PUCE | 16+ | IVROGNE |
| MAX202IDR | 7600 | TI | 16+ | CONCESSION |
| 30521* | 624 | BOSCH | 10+ | SOP-20 |
| MC14504BCPG | 4270 | SUR | 16+ | IMMERSION |
Transistor MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 de signal de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2N7002LT1G petit
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