Les composants de l'électronique de diode de redresseur de BYG20J-E3/TR ébrèchent l'électronique d'IC
Number modèle:BYG20J-E3-TR
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1800pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:41000PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Les composants de l'électronique de diode de redresseur de BYG20J-E3-TR ébrèchent l'électronique d'IC
Redresseur ultra-rapide de l'avalanche SMD
CARACTÉRISTIQUES
• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Jonction passivée en verre
• Bas courant inverse
• Caractéristiques douces de récupération
• Temps de rétablissement inverse ultra-rapide
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 260
• AEC-Q101 a qualifié
• Conforme RoHS 2002/95/EC directif et dans l'accord WEEE 2002/96/EC TYPIQUE
APPLICATIONS
Pour l'usage dans la rectification haute fréquence de l'alimentation d'énergie, des inverseurs, des convertisseurs et des diodes de laisser aller pour le consommateur, des véhicules moteur et la télécommunication.
Cas MÉCANIQUE de DONNÉES : Le composé de moulage de DO-214AC (SMA) rencontre la base d'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94 P/nord-est 3 - RoHS conforme, la base P/NHE3 de qualité marchande - RoHS conforme, AEC-Q101 a qualifié des terminaux : Les avances plaque en fer blanc, solderable mats par suffixe de J-STD-002 et de JESD 22-B102 E3 rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201
CAPACITÉS ABSOLUES (1)
SI (POIDS DU COMMERCE) 1,5 A VRRM 200 V 600 V IFSM 30 A ΜA d'IR 1,0 VF 1,4 V trr 75 NS ER 20 MJ °C du maximum 150 de TJ |
| TRANSPORT BC847BLT1 | 18000 | SUR | LA CHINE |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | LA CHINE |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | LA CHINE |
| DIODO DF06S | 3000 | SEPT | LA CHINE |
| PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | LE JAPON |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODES | LA MALAISIE |
| INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | LE JAPON |
| Recherche 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | LA CHINE |
| Recherche 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | LA CHINE |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | LA MALAISIE |
| Recherche 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | LA CHINE |
| MUNITIONS DE DIODO UF4007 | 500000 | MIC | LA CHINE |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAÏWAN |
| Recherche 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L | 500000 | YAGEO | LA CHINE |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAÏWAN |
| TRANSPORT MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODES | LA MALAISIE |
| TRANSPORT STGW20NC60VD | 1000 | St | LA MALAISIE |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | LA THAÏLANDE |
| C.I MC33298DW | 1000 | MOT | LA MALAISIE |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | LA MALAISIE |
| C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | LE JAPON |
| C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | LE JAPON |
| C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | PHILIPPINES |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAÏWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | LE MAROC | |
| C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAÏWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | LA THAÏLANDE |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | LA MALAISIE |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | LA MALAISIE |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAÏWAN |
| C.I CD40106BE | 250 | TI | LA THAÏLANDE |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | DIÈSE | LE JAPON |
| TRANSPORT NDT452AP | 5200 | FSC | LA MALAISIE |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | LA THAÏLANDE |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | SUR | LA MALAISIE |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SUR | LA MALAISIE |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAÏWAN |
| C.I TPIC6595N | 10000 | TI | LA THAÏLANDE |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | LA MALAISIE |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | LA CHINE |
| C.I CD4060BM | 500 | TI | LA THAÏLANDE |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | LA MALAISIE |
| DIODO W08 | 500 | SEPT | LA CHINE |
| C.I SN74HC373N | 1000 | TI | PHILIPPINES |
| PHOTODÉTECTEUR 2SS52M | 500 | Honeywell | LE JAPON |
| C.I SN74HC02N | 1000 | TI | LA THAÏLANDE |
| C.I CD4585BE | 250 | TI | LA THAÏLANDE |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT : C | 40 | MICRON | LA MALAISIE |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SUR | LA MALAISIE |
Les composants de l'électronique de diode de redresseur de BYG20J-E3/TR ébrèchent l'électronique d'IC
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