Diode émetteuse d'infrarouge de la puissance TSML1020 élevée, 950 nanomètre, GaAlAs/GaAs Diode de redresseur

Number modèle:TSML1020
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:5200PCS
Délai de livraison:1 jour
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Diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée, 950 nanomètre, GaAlAs/GaAs


Caractéristiques
• Puissance rayonnante élevée exceptionnelle
• Basse tension en avant
• Approprié l'opération en cours d'impulsion élevée
• Angle du ϕ = du ± 12° d'intensité réduite
• Λp maximal de longueur d'onde = 950 nanomètre
• Fiabilité élevée
• Série assortie de phototransistor : TEMT1000
• Configurations terminales souples
• Composant sans plomb

Description
Les séries TSML1000 sont les diodes émetteuses d'infrarouge de rendement élevé dans GaAlAs sur la technologie de GaAs moulée en paquet clair de SMD.

Cette technologie représente la meilleure représentation pour la puissance rayonnante dans des conditions d'impulsion, la tension en avant et la fiabilité

Caractéristiques typiques (Tamb = °C 25 sauf indication contraire)


BULLETIN DE LA COTE

DLW21HN900SQ2L7950MURATA16+SMD
FAN5331SX1950FSC15+SOT23-5
AD5160BRJZ50-RL72450ANNONCE15+SOT23-8
DTC114ESA3450ROHM16+TO-92S
HT7130-12460HOLTEK13+SOT-89
ATMEGA16-16AU2500ATMEL15+QFP-44
74HCT04D750015+CONCESSION
26PCAFA6D3000HONEYWELL15+PETITE GORGÉE
ATMEGA168PA-AU2500ATMEL16+QFP
BYT230PIV-400900St15+CONCESSION
74F827N750016+IMMERSION
BC817-161500015+SOT-23
AD711JN2450ANNONCE15+IMMERSION
DS9034PCX4350DALLAS16+Carte PCB
DAC08Q1825ANNONCE15+DIP-16
CY8C27543-24AXI2500CYPRESS16+QFP44
AOZ1031AI1600AOS15+SOP-8
ATMEGA8515-16AU2500ATMEL15+QFP-44
74LVC373APW750015+TSSOP
INA114BU1780TI16+SOP-16
BZV55-C36900015+LL34
BC63915000FSC15+TO-92 “
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Diode émetteuse d'infrarouge de la puissance TSML1020 élevée, 950 nanomètre, GaAlAs/GaAs Diode de redresseur

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