Redresseurs extérieurs de bâti de diodes de redresseur de silicium de diode de redresseur de S3D

Number modèle:S3D
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:7800pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.QuantitéMarqueD/CPaquet
IRGB4062DPBF2391IR08+TO-220
IRGP30B60KD-EP3382IR12+TO-247
IRGP35B60PDPBF6397IR12+TO-247
IRGP4063D5721IR13+TO-247
IRGP4066D-E4088IR14+TO-247
IRGP4068D2462IR16+TO-247
IRL2910STRLPBF2533IR08+TO-263
IRL540NPBF6359IR10+TO-220
IRLB3034PBF5532IR16+TO-220
IRLB4030PBF6069IR14+TO-220
IRLL014NTRPBF7811IR14+SOT-223
IRLL024NTRPBF7882IR11+SOT-223
IRLL110TRPBF5894IR14+SOT-223
IRLML2402TRPBF71000IR15+SOT-23
IRLML5103TRPBF59000IR15+SOT-23
IRLML6401TRPBF74000IR16+SOT-23
IRLR2905ZTRPBF9854IR14+TO-252
IRLR290827000IR14+TO-252
IRLR3705ZPBF4479IR15+TO-252
IRLZ24NPBF8789IR16+TO-220
IRS2127STRPBF15776IR11+SOP-8
IRS2153DPBF5795IR06+DIP-8
IRS21864PBF2604IR11+DIP-14
IRS2304STRPBF6016IR14+SOP-8
IS42S16400F-6TLI5692ISSI16+TSOP
IS42S16400F-7TLI4909ISSI15+TSOP
IS42S32800D-7TL2534ISSI11+TSOP-86
IS43TR16256A-125KBLI2578ISSI13+FBGA
IS61LV25616AL-10TLI4049ISSI16+TSOP
IS61LV51216-10TLI3010ISSI15+TSSOP-44

S3A PAR S3M

Redresseur de silicium de 3 ampères 50 1000 volts


Caractéristiques

• Pour les applications extérieures de bti

• Extrêmement - basse résistance thermique

• De transfert facile

• Soudure hautes températures : 250°C pendant 10 secondes sur des terminaux

• Capacité forte intensité


Estimations maximum

• Température de fonctionnement : -55°C +150°C

• Température de stockage : -55°C +150°C

• Résistance thermique maximum ; Jonction 10°C/W mener


Caractéristiques électriques @ 25°C sauf indication contraire

Courant en avant moyenSI (POIDS DU COMMERCE)3.0ATJ = 120°C
Courant de montée subite en avant maximalIFSM100A8.3ms, demi sinus

Tension en avant instantanée maximum

VF1.20VIFM = 3.0A ; TJ = 25°C*
Courant maximum d'inverse de C.C la tension de blocage évaluée de C.CIR

10µA

250µA

TJ = 25°C

TJ = 125°C

Capacité de jonction typiqueCJ60pFMesuré 1.0MHz, VR=4.0V

essai de *Pulse : Μsec de la durée d'impulsion 200, coefficient d'utilisation 2%


DO-214AB (SMCJ)


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Redresseurs extérieurs de bâti de diodes de redresseur de silicium de diode de redresseur de S3D

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