Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle
Number modèle:MGW12N120D
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8400pcs
Délai de livraison:1 jour
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode antiparallèle
Porte de silicium d'Amélioration-mode de N-canal
IGBT ET DIODE DANS TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTS
COURT-CIRCUIT ÉVALUÉ
Ce transistor bipolaire isolé de porte (IGBT) Co-est empaqueté avec
un redresseur ultra-rapide de récupération douce et emploie un plan
de dénouement anticipé pour fournir une capacité de tension-blocage
élevée augmentée et fiable. Le court-circuit a évalué IGBT
approprié spécifiquement aux applications exigeant d'un
court-circuit garanti de résister au temps tel que des commandes de
contrôle de moteur. Les caractéristiques de changement rapides ont
comme conséquence le fonctionnement efficace aux hautes fréquences.
l'espace des économies d'IGBT Co-emballé, réduisent le délai
d'assemblage et le coût.
• Paquet industriellement compatible de la puissance élevée TO-247
avec le trou de montage d'isolement
• Eoff grande vitesse : 150 ? J/A typique 125°C
• Capacité élevée de court-circuit – 10 ? minimum de s
• La diode de roulement libre de récupération douce est incluse
dans le paquet
• Arrêt haute tension robuste
• RBSOA robuste
ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire)
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de collecteur-émetteur | VCES | 1200 | Volts continu |
| Tension de Collecteur-porte (RGE = 1,0 MΩ) | VCGR | 1200 | Volts continu |
| Tension de Porte-émetteur — Continu | VGE | ± 20 | Volts continu |
Courant de collecteur — Continu @ comité technique = 25°C — Continu @ comité technique = 90°C — (1) actuel pulsé répétitif | IC25 IC90 Missile aux performances améliorées | 20 12 40 | Volts continu Apk |
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C | Palladium | 125 0,98 | Watts W/°C |
| Température ambiante de jonction d'opération et de stockage | TJ, Tstg | – 55 150 | °C |
Temps de tenue de court-circuit (VCC = 720 volts continu, VGE = 15 volts continu, TJ = 125°C, RG = Ω 20) | centre technique | 10 | ? μs |
Résistance thermique — Jonction pour enfermer – IGBT — Jonction pour enfermer – la diode — Jonction ambiant | RθJC RθJC RθJA | 1,0 1,4 45 | °C/W |
| La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8 ″ de point de droit pendant 5 secondes | TL | 260 | °C |
| Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 | lbf* 10 ? dans (N 1,13 ? *m) | ||
(1) la durée d'impulsion est limitée par la température de jonction
maximum. Estimation répétitive.
DIMENSIONS DE PAQUET
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| L9616D | 3785 | St | 15+ | SOP8 |
| LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
| 2MBI100N-060 | 418 | FUJI | 12+ | MODULE |
| PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
| MT41K128M16JT-125 : K | 7044 | MICRON | 14+ | BGA |
| P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | IMMERSION |
| LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
| LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
| MAX3232EIPWR | 11650 | TI | 14+ | TSSOP |
| BTA24-600BW | 10000 | St | 15+ | TO-220 |
| MSP430G2231IPW14R | 6841 | TI | 16+ | TSSOP |
| MJF15031G | 86000 | SUR | 16+ | TO-220 |
| MC7805ABD2TR4G | 4072 | SUR | 14+ | TO-263 |
| MCP73871-2CCI/ML | 5626 | PUCE | 16+ | QFN |
| MCP1702-5002E/TO | 5050 | PUCE | 16+ | TO-92 |
| NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
| LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
| M27256-2F1 | 4179 | St | 16+ | IMMERSION |
| LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
| MAX6369KA+T | 4625 | MAXIME | 14+ | IVROGNE |
| PIC16F76T-I/SO | 4988 | PUCE | 14+ | CONCESSION |
Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle
Inquiry Cart
0