Carte de diodes Zener de puissance du silicium 1N5358B Chips Electronic Component
Number modèle:SST25VF016B-50-4I-S2AF
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5 PCS
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Diodes de la Silicium-puissance-Zener 1N5358B
Diodes de Silicium-puissance-Zener (technologie non plan)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Dissipation de puissance maximum Maximale Verlustleistung Z-tension
nominale Nominale Z-Spannung
Boîtier en plastique Kunststoffgehäuse Poids approximativement
Gewicht CA La matière plastique a la classification 94V-0 d'UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 Emballage standard attaché
du ruban adhésif dans le paquet de munitions Gegurtet standard de
Lieferform dans le Munition-paquet
La tolérance standard de tension de Zener est ±5%). D'autres
tolérances de tension et tensions plus élevées de Zener sur
demande.
Meurent IST de Zener-Spannung de der de Toleranz dans le der ±5%
standard-Ausfhrung. Höhere d'Andere Toleranzen oder
Forces d'appoint Anfrage d'Arbeitsspannungen.
Dissipation de puissance Verlustleistung | Ptot | 5 W 1) |
Dissipation non répétitive de puissance de crête, t < 10=""
ms=""> Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms=""> | PZSM | 80 W |
La température de jonction fonctionnante – Sperrschichttemperatur Température de stockage – Lagerungstemperatur | Tj SOLIDES TOTAUX | -50… +150°C -50… +175°C |
Jonction de résistance thermique l'air ambiant Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft | RthA | < 25="" K=""> |
Jonction de résistance thermique au terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss | RthL | <8 K=""> |
Carte de diodes Zener de puissance du silicium 1N5358B Chips Electronic Component
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