Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium
Number modèle:1N4756A
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:100pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:55000PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium
Caractéristiques
• La structure en verre du paquet DO-41 assure la fiabilité élevée.
• Gamme étendue de 3,3 V 36 V de tension de zener fournir l'application flexible.
L'information de commande
| Numéro de la pièce. | Bande de cathode | Marque | Nom de paquet | Code de paquet |
| 1N4756A | Noir | Numéro de la pièce. | DO-41 | GRZZ0002ZA-A |
Capacités absolues
(Merci = 25°C)
| Article | Symbole | Valeur | Unité |
| Dissipation de puissance | Palladium | 1,0 | W |
| La température de jonction | Tj | 200 | °C |
| Température de stockage | Tstg | -65 +200 | °C |
Diode de redresseur de puissance élevée 1N4756A, diodes Zener planaires de silicium
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