Diodes IC Chip BAS 85 135 de l'électronique de la diode de barrière de Schottky

Diodes IC Chip BAS 85 de l'électronique de la diode de barrière de Schottky

Diode de barrière de BAS85 Schottky

CARACTÉRISTIQUES

• Basse tension en avant

• Tension claque élevée

• Anneau de garde protégé

• Petit paquet hermétiquement scellé de SMD.

DESCRIPTION

Diode de barrière planaire de Schottky avec un anneau intégré de protection contre des décharges statiques. Cette diode montée extérieure est encapsulée dans un paquet en verre hermétiquement scellé de SOD80C SMD avec les disques plaque en fer blanc en métal chaque extrémité. Il convient « au placement automatique » et en tant que tels elle peut résister la soudure d'immersion.

APPLICATIONS

• Commutation ultra ultra-rapide

• Fixage de tension

• Circuits de protection

• Blocage des diodes.

ÉTATS DE PARAMÈTRE DE SYMBOLE

− MAXIMAL MINIMAL 30 V de tension inverse continue de l'UNITÉ VR

SI − actuel en avant continu 200 mA

SI moyenne (poids du commerce) en avant actuelle VRWM = 25 V ; a = 1,57 ; δ = 0,5 ;

note 1 ; Fig.2 du − 200 de mA IFRM de crête ≤ actuel répétitif 1 s de tp en avant ; − 300 mA I du ≤ 0,5 de δ

Crête non répétitive de FSM en avant actuelle tp de = − 5 A 10 Mme

°C de la température de stockage −65 +150 de Tstg

°C du − 125 de la température de jonction de Tj

°C fonctionnant de la température ambiante −65 +125 de Tamb

Le GROUPE de CHONGMING (HK) Cie. INTERNATIONALE, Ltd a placé Hong Kong et Shenzhen. Nous sommes un distributeur indépendant des composants électroniques, établi en 2008. EN TANT QUE société rapide croissante, le GROUPE de cm est renommé pour que son efficacité parmi les meilleurs du monde, excellents services, et capacité extraordinaire fournisse les composants électroniques il est difficile de trouver qu'et même obsolète. Nous avons pris la fierté dans notre innovation, sérieux et service, particulièrement dans le marché de semi-conducteur.
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