TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode
Number modèle:TSAL4400
Point d'origine:Philippines
Quantité d'ordre minimum:20
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:20000
Délai de livraison:1
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode
CARACTÉRISTIQUES
• Type de paquet : plombé
• Forme de paquet : T-1
• Dimensions (dans le millimètre) : ∅ 3
• Longueur d'onde maximale : λp = 940 nanomètre
• Fiabilité élevée
• Puissance rayonnante élevée
• Radiance élevée
• Angle d'intensité réduite : ϕ = ± 25°
• Basse tension en avant
• Approprié l'opération en cours d'impulsion élevée
• Bon assortiment spectral avec des détecteurs photoélectriques de SI
• Matchs de paquet avec le détecteur TEFT4300
• Composant sans d'avance (Pb) selon RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
DESCRIPTION
TSAL4400 est un infrarouge, 940 nanomètre émettant la diode en technologie de GaAlAs/GaAs avec la puissance rayonnante élevée moulée dans un paquet en plastique bleu-gris.
APPLICATIONS
• Unités télécommande infrarouges
• Systèmes de transmission d'air libre
• Source infrarouge pour les compteurs et les lecteurs de cartes optiques
| L'INFORMATION DE COMMANDE | ||||
| CODE DE COMMANDE | EMBALLAGE | REMARQUES | PAQUET FORMtr (NS) | |
| TSAL4400 | Le volume | MOQ : 5000 PCs, 5000 PCs/volume | T-1 | |
Note
Les conditions d'essai voient le tableau « caractéristiques de base «
| RÉSUMÉ DE PRODUIT | ||||
| COMPOSANT | IE (mW/sr) | ϕ (degrés) | λP (nanomètre) | TR (NS) |
| TSAL4400 | 30 | ± 25 | 940 | 800 |
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR émettant la diode émetteuse d'infrarouge de puissance élevée de diode
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