Diode de barrière extérieure de Schottky de bâti de la diode de redresseur de l'électronique 2A BAT54A
Number modèle:BAT54A
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:50000pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Diode de barrière extérieure de Schottky de bti de la diode de redresseur de l'électronique 2A BAT54A
DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DE SCHOTTKY DE BTI DE BAT54A
Caractéristiques ?
?. Basse tension d'ouverture
. ? Commutation rapide ?
Garde Ring de jonction de .PN pour la coupure
et protection d'ESD
Données mécaniques
Cas : SOT-23, plastique moulé ?
Matériel de cas - classification 94V-0 d'estimation d'inflammabilité d'UL ?
Terminaux : Solderable par MIL-STD-202, méthode 208 ?
Polarité : Voir les diagrammes ci-dessous ?
Poids : 0,008 grammes (approximativement) ?
Sensibilité d'humidité : De niveau 1 par J-STD-020A
L'information de commande : Voir la page 3
Code de repérage : Voir les diagrammes ci-dessous ?
℃ 25 maximum d'estimations @ MERCI = sauf indication contraire
| Caractéristique | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension inverse répétitive maximale fonctionnant la tension de blocage maximale de C.C de tension inverse | VRRM VRWM VR | 30 | V |
| Actuel continu en avant (note 2) | SI | 200 | mA |
| Courant en avant maximal répétitif | IFRM | 300 | mA |
| Courant de montée subite en avant @ t < 1=""> | IFSM | 600 | mA |
| Dissipation de puissance (note 2) | Palladium | 200 | Mw |
| Résistance thermique, jonction l'air ambiant (note 2) | RJA | 500 | ℃/W |
| Température ambiante d'opération et de température de stockage | Tj, TSTG | -65 +125 | ℃ |
Caractéristiques électriques
@ MERCI = ℃ 25 sauf indication contraire
| Caractéristique | Symbole | Minute | Type | Maximum | Unité | Condition d'essai |
| Tension claque inverse | V (BR) R | 30 | - | - | V | IRS = 100 ? |
| Tension en avant | VF | - | - | 240 320 400 500 1000 | système mv | SI = 0.1mA SI = 1mA SI = 10mA SI = 30mA SI = 100mA |
| Courant inverse de fuite | IR | - | - | 2,0 | UA | VR = 25V |
| Capacité totale | Cr | - | - | 10 | PF | VR = 1.0V, f = 1.0MHz |
| Temps de rétablissement inverse | Trr | - | - | 5,0 | NS | SI = 10mA IR = 10mA IR = 1.0mA RL = 100 ? |
Notes : 1. essai d'impulsion de durée employé pour réduire au minimum l'effet auto-chauffant.
2. Pièce montée sur le panneau FR-4 avec la disposition recommandée de protection, qui peut être trouvée sur notre site Web
Diode de barrière extérieure de Schottky de bâti de la diode de redresseur de l'électronique 2A BAT54A
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