Composants à grande vitesse de circuit intégré de Circuit Board Chips de contrôleur d'UC2825DWTR PWM

Number modèle:UC2825DWTR
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5 PCS
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Capacité d'approvisionnement:10000PCS/DAY
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Contrôleur grande vitesse d'UC2825DWTR PWM
CARACTÉRISTIQUES

(1) compatible avec la tension ou les topologies actuelles de mode (retard de propagation 2) 50ns produire


(3) fréquences de changement d'opération pratique 1MHz (4) le double totem Polonais forte intensité produit (crête 1.5A)


(5) amplificateur large d'erreurs de largeur de bande (6) logique entièrement verrouillée avec la suppression double impulsion


limitation actuelle d'Impulsion-par-impulsion (de 7) (8) début doux/contrôle maximal de coefficient d'utilisation


lock-out de sousvoltage (de 9) avec l'hystérésis (les 10) bas commencent le courant (1.1mA)

DESCRIPTION
La famille UC1825 du contrôle IC de PWM est optimisée pour des applications commutées haute fréquence d'alimentation d'énergie de mode. Le soin particulier a été donné aux retards de propagation de minimisation par les comparateurs et les circuits de logique tout en maximisant le taux de largeur de bande et de groupe de l'amplificateur d'erreurs. Ce contrôleur est conçu pour l'usage dans des systèmes de mode d'actuel-mode ou de tension avec la capacité pour la réaction de tension d'entrée.
Les circuits de protection incluent un comparateur de limite actuel avec un seuil 1V, un port compatible d'arrêt de TTL, et une goupille molle de début qui doublera comme bride maximum de coefficient d'utilisation. La logique est entièrement verrouillée pour fournir l'opération libre de tout scintillement et pour interdire des impulsions multiples un résultat. Une section de lock-out de sousvoltage avec 800mV d'hystérésis assure le courant de début du bas. Pendant le lock-out de sousvoltage, les sorties sont grande impédance.
Ces dispositifs comportent des sorties de poteau de totem conçues la source et descendent des courants de pointe élevée des charges capacitives, telles que la porte d'un transistor MOSFET de puissance. Dessus l'état est conçu comme haut niveau.
Considérations de disposition de carte électronique
Les circuits grande vitesse exigent une attention particulière la disposition et au placement composant. Pour assurer la représentation appropriée de l'UC1825 pour suivre ces règles : 1) utilisation un plan de masse. 2) humidité ou maintenir l'énergie inductive parasite de coup-de-pied de la porte des transistors MOSFET conduits. Ne laissez pas les goupilles produites sonner au-dessous de la terre. Une résistance de porte de série ou un shunt diode de 1 ampère Schottky la goupille de sortie servira.
Paquet
QJA
QJC
DIL-16J
80-120
28(2)
DIL-16N
90(1)
45
PLCC-20
43- 75(1)
34
LCC-20
70-80
20(2)
SOIC-16
50- 120(1)
35

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