Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N
Number modèle:FDS6676AS
Point d'origine:La Malaisie
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T à l'avance ou d'autres
Capacité d'approvisionnement:1000PCS
Détails de empaquetage:Veuillez me contacter pour des détails
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N
actions originales de composants électroniques de PowerTrench FDS6676AS du N-canal 30V
Description générale
Le FDS6676AS est conçu pour remplacer un transistor MOSFET SO-8 et une diode simples de Schottky dans synchrone
C.C : Approvisionnements d'alimentation CC. Ce transistor MOSFET 30V est conçu pour maximiser l'efficacité de conversion de puissance, fournissant un bas RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le FDS6676AS inclut une diode intégrée de Schottky utilisant la technologie monolithique de SyncFET de Fairchild.
Applications
• Convertisseur de DC/DC
• Bas carnet latéral
Caractéristiques
• A 14,5, 30 mΩ du max= 6,0 de V. le RDS (DESSUS) @ VGS = 10 mΩ du max= 7,25 de V le RDS (DESSUS) @ VGS = 4,5 V
• Inclut la diode de corps de SyncFET Schottky
• Basse charge de porte (45nC typiques)
• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS) et la commutation rapide
• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
Capacités absolues TA=25o C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unité |
| VDSS | Tension de Drain-source | 30 | V |
| VGSS | Tension de Porte-source | ±20 | V |
| Identification | Vidangez actuel – continu (note 1a) – Pulsé | 14,5 | |
| 50 | |||
| Palladium | Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a) (Note 1B) (Note 1c) | 2,5 | W |
| 1,5 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | Température ambiante de jonction d'opération et de stockage | – 55 +150 | °C |
Caractéristiques thermiques
| RθJA | Résistance thermique, Jonction--ambiante (note 1a) | 50 | W/°C |
| RθJC | Résistance thermique, Jonction--cas (note 1) | 25 |
Inscription et information de commande de paquet
| Repérage de dispositif | Dispositif | Taille de bobine | Largeur de bande | Quantité |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 unités |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 unités |
Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N
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