Conducteur latéral de Chip High Voltage High And de circuit intégré électronique de circuit intégré de L6386D bas
Number modèle:L6386D
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Conducteur latéral de Chip High Voltage High And de circuit intégré électronique de circuit intégré de L6386D bas
- RAIL HAUTE TENSION JUSQU' 600V
- IMMUNITÉ de dV/dt + - 50 V/nsec dans la PLEINE TEMPÉRATURE AMBIANTE
- CAPACITÉ ACTUELLE DE CONDUCTEUR : SOURCE de 400 mA, ÉVIER de 650 mA
- La COMMUTATION CHRONOMÈTRE 50/30 nanoseconde RISE/FALL AVEC LA CHARGE 1nF
- ENTRÉES DE DÉCLENCHEUR DE SCHMITT DE CMOS/TTL AVEC L'HYSTÉRÉSIS ET L'ABAISSER
- LA TENSION DE DESSOUS FERMENT CLEF SUR LA SECTION MOTRICE INFÉRIEURE ET SUPÉRIEURE
- DIODE INTÉGRÉE D'AMORCE
- SORTIES DANS LA PHASE AVEC DES ENTRÉES
DESCRIPTION
Le L6386 est un dispositif haute tension, construit avec technologie la « EN DIFFÉRÉ » de BCD. Il a une structure de conducteur qui permet de conduire le MOS référencé indépendant ou l'IGBT de puissance de la Manche. La section (de flottement) supérieure est permise de fonctionner avec le rail de tension jusqu' 600V. Les entrées de logique sont CMOS/TTL compatibles pour la facilité de se connecter par interface aux dispositifs de contrôle.
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Vout | Tension de sortie | -3 Vboot - 18 | V |
| Vcc | Tension d'alimentation | - 0,3 +18 | V |
| Vboot | Tension d'alimentation de flottement | -1 618 | V |
| Vhvg | Tension supérieure de sortie de porte | - 1 Vboot | V |
| Vlvg | Tension inférieure de sortie de porte | -0,3 Vcc +0,3 | V |
| Vi | Tension d'entrée de logique | -0,3 Vcc +0,3 | V |
| Vdiag | Tension obligatoire de drain ouvert | -0,3 Vcc +0,3 | V |
| Vcin | Tension d'entrée de comparateur | -0,3 Vcc +0,3 | V |
| dVout/dt | Taux de groupe permis de sortie | 50 | V/ns |
| Ptot | Dissipation de puissance totale (Tj = °C) 85 | 750 | mW |
| Tj | La température de jonction | 150 | °C |
| Solides totaux | Température de stockage | -50 150 | °C |
Note : L'immunité d'ESD pour les bornes 12, 13 et 14 est garantie jusqu' 900V (le modèle de corps humain)
SCHÉMA FONCTIONNEL
CONNEXION DE PIN
Conducteur latéral de Chip High Voltage High And de circuit intégré électronique de circuit intégré de L6386D bas
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