Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée

Number modèle:RFP70N06
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:1 jour
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RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohms, transistors MOSFET de puissance de N-canal


Ce sont des transistors MOSFET de puissance de N-canal construits utilisant le processus de MegaFET. Ce processus, qui emploie des tailles de caractéristique approchant ceux des circuits de LSI, donne l'utilisation optima du silicium, ayant pour résultat la représentation exceptionnelle. Ils ont été conçus pour l'usage dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de changement, des conducteurs de moteur et des conducteurs de relais. Ces transistors peuvent être actionnés directement partir des circuits intégrés.

Type autrefois développemental TA49007.


Caractéristiques

• 70A, 60V

• le RDS (dessus) = 0.014Ω

• Modèle température compensée de PSPICE®

• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion

• Courbe d'estimation d'UIS (impulsion simple)

• température de fonctionnement 175oC

• Littérature relative

- TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bti aux panneaux de PC »


Capacités absolues comité technique = 25℃, sauf indication contraire

PARAMÈTRESYMBOLE

RFG70N06, RFP70N06

RF1S70N06SM

UNITÉS
Vidangez la tension de source (note 1)VDSS60V
Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1)VDGR60V
Courant continu de drainIdentification70
Courant pulsé de drain (note 3)IDMRéférez-vous la courbe de courant de pointe
Porte la tension de sourceVGS±20V
Estimation simple d'avalanche d'impulsionEASRéférez-vous la courbe d'UIS
Dissipation de puissancePalladium150W
Facteur de sous-sollicitation linéaire1,0W/℃
Opération et température de stockageTJ, TSTG-55 175

Température maximale pour la soudure

Avances 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s

Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief 334


TL

Tpkg


300

260


PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une seule estimation d'effort et l'opération du dispositif ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.


NOTE : 1. TJ = 25oC 150℃


Symbole


Emballage


Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.Q'tyMFGD/CPaquet
LA44403620SANYO14+SIP-14
LT1512CS8#PBF5755LINÉAIRE15+SOP-8
LM75CIMMX-36880NSC14+MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF6896LT10+IVROGNE
NTE4151PT1G38000SUR16+SOT-523
CXD2480R1277SONY15+QFP
A8498SLJTR-T3500ALLÉGRO12+SOP-8
A4950ELJTR-T1000ALLÉGRO13+SOP-8
LMX2335LTMX2297NSC14+TSSOP-16
NCP1034DR2G9200SUR16+CONCESSION
A3932SLDTR-T2042ALLÉGRO15+TSSOP38
MM3Z4V7ST1G25000SUR16+SOD-323
MCP1825S-3302E/DB5134PUCE16+SOT-223
MMBZ5257BLT1G20000SUR16+SOT-23
MBR120ESFT1G38000SUR16+GAZON
L4931ABD333851St14+SOP8
NTE4153NT1G30000SUR16+SOT-523
MPX5100DP6099FREESCALE15+PETITE GORGÉE
LMH1980MM/NOPB1632TI15+VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS4498PUCE13+SSOP
LTC3450EUD6714LINÉAIRE15+DFN

China Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée supplier

Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée

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