MT29F4G08ABADAWP: D TR Program Ic Puce Couleur TV Ic Mémoire Flash Puce Redresseur Diode

Number modèle:MT29F4G08ABADAWP-D
Point d'origine:La Thaïlande
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:4350PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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4 Go, 8 Go, 16 Go : mémoire flash NAND x8, x16


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CARACTÉRISTIQUES:

• Conforme la norme Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.01

• Technologie de cellule un seul niveau (SLC)

• Organisation

– Taille de la page x8 : 2112 octets (2048 + 64 octets)

– Taille de la page x16 : 1056 mots (1024 + 32 mots)

– Taille de bloc : 64 pages (128K + 4K octets)

– Taille de l'avion : 2 avions x 2048 blocs par avion

– Taille de l'appareil : 4 Go : 4 096 blocs ;8 Go : 8 192 blocs 16 Go : 16 384 blocs


• Performances d'E/S asynchrones

– tRC/tWC : 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)

• Performances de la baie

– Lire page : 25µs 3

– Page de programme : 200 µs (type : 1,8 V, 3,3 V)3

– Bloc d'effacement : 700µs (TYP)


• Jeu de commandes : protocole ONFI NAND Flash

• Jeu de commandes avancées

– Mode cache de page de programme4

– Lire le mode cache de page 4

– Mode programmable une seule fois (OTP)

– Commandes deux plans 4

– Opérations de matrices entrelacées (LUN)

– Lire l'identifiant unique – Bloquer le verrouillage (1,8 V uniquement)

– Déplacement de données internes


• L'octet d'état de fonctionnement fournit une méthode logicielle pour détecter

– Achèvement de l'opération – Condition de réussite/échec

– Statut de protection en écriture

• Le signal Ready/Busy# (R/B#) fournit une méthode matérielle de détection de l'achèvement de l'opération

• Signal WP# : protection en écriture de l'ensemble de l'appareil


• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valide lorsqu'il est expédié de l'usine avec ECC.

Pour l'ECC minimum requis, voir Gestion des erreurs.

• Le bloc 0 nécessite un ECC 1 bit si les cycles PROGRAM/ERASE sont inférieurs 1000

• RESET (FFh) requis comme première commande après la mise sous tension

• Autre méthode d'initialisation de l'appareil (Nand_Init) après la mise sous tension (contacter l'usine)


• Opérations de déplacement de données internes prises en charge dans le plan partir duquel les données sont lues

• Qualité et fiabilité – Conservation des données : 10 ans – Endurance : 100 000 cycles PROGRAM/ERASE

• Plage de tension de fonctionnement - VCC : 2,7 – 3,6 V - VCC : 1,7 – 1,95 V

• Température de fonctionnement :

– Commercial : 0°C +70°C

– Industriel (IT) : –40ºC +85ºC

• Boîtier : TSOP 48 broches de type 1, CPL2

– VFBGA 63 billes

NOTES MAXIMALES ABSOLUES(1)

Tension d'alimentation (VIN)..................................–0,3 V 6V
Tension d'indicateur de défaut (VFLG) ......................................... ..+6V
Courant d'indicateur de défaut (IFLG) ......................................... .25mA
Tension de sortie (VOUT).................................................. ......+6V
Courant de sortie (IOUT) ................................. Entrée d'activation limitation interne (IEN)....... .............................. –0,3V VIN +3V
Température de stockage (TS) ....................... –65°C +150°C
Tension d'alimentation (VIN) .................................... +2,7 V +5,5 V
Température ambiante (TA).......................... –40°C +85°C
Température de jonction (TJ) ................ Limitée en interne
Résistance thermique SOP (θJA) ................................................ ..............160°C/W
MSOP(θJA) ....................................................... ..........206°C/W


TRANS BC847BLT118000SURCHINE
RC0805JR-0710KL35000YAGEOCHINE
RC0805JR-071KL20000YAGEOCHINE
DIODE DF06S3000SEPCHINE
CHAPEAU 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB20000TDKJAPON
DIODE US1A-13-F50000DIODESMALAISIE
INDUTEUR.100UH SLF7045T-101MR50-PF10000TDKJAPON
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL500000YAGEOCHINE
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML500000YAGEOCHINE
DIODE P6KE180A10000VISHAYMALAISIE
RES 1206 470R 5 % RC1206JR-07470RL500000YAGEOCHINE
MUNITIONS DIODO UF4007500000microCHINE
TRANS.ZXMN10A09KTC20000ZETEXTAÏWAN
RÉS 0805 4K7 5 %
RC0805JR-074K7L
500000YAGEOCHINE
ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA110000LITE-ONTAÏWAN
TRANSMMBT2907A-7-F30000DIODESMALAISIE
TRANS STGW20NC60VD1000STMALAISIE
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB500TITHAÏLANDE
CI MC33298DW1000CTMALAISIE
CI MC908MR16CFUE840FREESCALMALAISIE
IC P8255A54500INTELJAPON
CI HM6116P-25000HITACHIJAPON
CI DS1230Y-1502400DALLASPHILIPPINES
TRANS.ZXMN10A09KTC18000ZETEXTAÏWAN
TRIAC BT151-500R500000MAROC
CI HCNR200-000E1000AVAGOTAÏWAN
TRIAC TIC116M10000TITHAÏLANDE
DIODE US1M-E3/61T18000VISHAYMALAISIE
DIODE ES1D-E3-61T18000VISHAYMALAISIE
CI MC908MR16CFUE840FREESCALTAÏWAN
CI CD40106BE250TITHAÏLANDE
ACOPLATEUR PC733H1000POINTUJAPON
TRANS NDT452AP5200FSCMALAISIE
CI LP2951-50DR1200TITHAÏLANDE
CIMC7809CD2TR4G1200SURMALAISIE
DIODO MBR20200CTG22000SURMALAISIE
FUSIVEL 30R300UU10000LITTELFUSEITAÏWAN
IC TPIC6595N10000TITHAÏLANDE
EPM7064STC44-10N100ALTERAMALAISIE
DIODE 1N4004-T5000000microCHINE
CI CD4060BM500TITHAÏLANDE
ACOPLATEUR MOC3020M500FSCMALAISIE
DIODE W08500SEPCHINE
CI SN74HC373N1000TIPHILIPPINES
CAPTEUR PHOTO 2SS52M500mielJAPON
CI SN74HC02N1000TITHAÏLANDE
CI CD4585BE250TITHAÏLANDE
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C40MICRONMALAISIE
DIODO MMSZ5242BT1G30000SURMALAISIE



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