Amplificateur opérationnel double CMOS de puces IC programmables LMC662CM

Number modèle:LMC662CM
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8500pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Amplificateur opérationnel double CMOS LMC662


Description générale

L'amplificateur opérationnel LMC662 CMOS Dual est idéal pour fonctionner partir d'une seule alimentation.Il fonctionne de + 5 V + 15 V et présente une oscillation de sortie rail rail en plus d'une plage d'entrée en mode commun qui inclut la terre.Les limitations de performances qui ont affecté les amplificateurs CMOS dans le passé ne sont pas un problème avec cette conception.Le VOS d'entrée, la dérive et le bruit large bande ainsi que le gain de tension dans des charges réalistes (2 kΩ et 600 Ω) sont tous égaux ou supérieurs aux équivalents bipolaires largement acceptés.


Cette puce est construite avec le processus CMOS avancé Double-Poly Silicon-Gate de National.Voir la fiche technique du LMC660 pour un amplificateur opérationnel Quad CMOS avec ces mêmes caractéristiques.


Caractéristiques

  • Balayage de sortie rail rail
  • Spécifié pour des charges de 2 kΩ et 600Ω
  • Gain haute tension : 126 dB
  • Basse tension de décalage d'entrée : 3 mV
  • Faible dérive de tension d'offset : 1,3 µV/˚C

  • Courant de polarisation d'entrée ultra faible : 2 fA
  • La plage de mode commun d'entrée comprend V
  • Plage de fonctionnement de l'alimentation +5V +15V
  • ISS = 400 µA/amplificateur ;indépendant de V+

  • Faible distorsion : 0,01 % 10 kHz
  • Vitesse de balayage : 1,1 V/µs
  • Disponible dans une plage de température étendue (−40 ˚C +125 ˚C) ;idéal pour les applications automobiles
  • Disponible selon une spécification de dessin militaire standard

Applications

  • Tampon ou préamplificateur haute impédance
  • Convertisseur courant-tension de précision
  • Intégrateur de longue date
  • Circuit échantillonneur-bloqueur
  • Détecteur de crête
  • Instrumentation médicale
  • Contrôles industriels
  • Capteurs automobiles

Notes maximales absolues (Remarque 3)

Si des dispositifs militaires/aérospatiaux sont requis, veuillez contacter le bureau de vente/les distributeurs de National Semiconductor pour connaître la disponibilité et les spécifications.


Tension d'entrée différentielle ± tension d'alimentation

Tension d'alimentation (V+−V) 16V

Court-circuit de sortie V+(Remarque 12)

Court-circuit de sortie V(Note 1)


Température du plomb (soudage, 10 sec.) 260˚C

Temp.Plage −65˚C +150˚C

Tension aux broches d'entrée/sortie (V+) +0,3 V, (V) −0,3 V

Courant la broche de sortie ±18 mA


Courant la broche d'entrée ± 5 mA

Courant la broche d'alimentation 35 mA

Dissipation de puissance (Remarque 2)

Température de jonction 150˚C

Tolérance ESD (Remarque 8) 1000V


Cotes de fonctionnement(Remarque 3)

Écart de température

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C


Plage de tension d'alimentation 4,75 V 15,5 V

Dissipation de puissance (Remarque 10)

Résistance thermique (θJA) (Remarque 11)

DIP céramique 8 broches 100˚C/W

DIP moulé 8 broches 101˚C/W

8 broches SO 165˚C/W

DIP céramique brasé latéral 8 broches 100˚C/W

Remarque 1 : S'applique la fois au fonctionnement alimentation unique et alimentation partagée.Un fonctionnement continu en court-circuit une température ambiante élevée et/ou plusieurs courts-circuits d'amplificateurs opérationnels peut entraîner un dépassement de la température de jonction maximale autorisée de 150 °C.Les courants de sortie supérieurs ±30 mA sur le long terme peuvent nuire la fiabilité.

Remarque 2 : La dissipation de puissance maximale est fonction de TJ(max), θJA et TA.La dissipation de puissance maximale autorisée toute température ambiante est PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Remarque 3 : Les cotes maximales absolues indiquent les limites au-del desquelles des dommages l'appareil peuvent survenir.Les cotes de fonctionnement indiquent les conditions pour lesquelles l'appareil est destiné être fonctionnel, mais ne garantissent pas des limites de performance spécifiques.Pour les spécifications garanties et les conditions de test, voir les caractéristiques électriques.Les spécifications garanties s'appliquent uniquement aux conditions de test indiquées.

Remarque 4 : Les valeurs typiques représentent la norme paramétrique la plus probable.Les limites sont garanties par des tests ou des corrélations.

Remarque 5 : V+ = 15 V, VCM = 7,5 V et RL connecté 7,5 V.Pour les tests d'approvisionnement, 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Pour les tests de naufrage, 2,5 V ≤ VO ≤ 7,5 V.

Remarque 6 : V+ = 15V.Connecté en tant que suiveur de tension avec entrée pas pas 10V.Le nombre spécifié est le plus lent des taux de balayage positif et négatif.

Remarque 7 : Entrée référencée.V+ = 15V et RL = 10 kΩ connecté V+/2.Chaque ampli excité son tour avec 1 kHz pour produire VO = 13 VPP.

Remarque 8 : Modèle de corps humain, 1,5 kΩ en série avec 100 pF.

Remarque 9 : Une spécification de test électrique RETS militaire est disponible sur demande.Au moment de l'impression, la spécification LMC662AMJ/883 RETS était entièrement conforme aux limites en gras de cette colonne.Le LMC662AMJ/883 peut également être acheté selon une spécification de dessin militaire standard.

Remarque 10 : Pour un fonctionnement des températures élevées, l'appareil doit être déclassé en fonction de la résistance thermique θJA avec PD = (TJ–TA)/θJA.

Remarque 11 : Tous les chiffres s'appliquent aux boîtiers soudés directement sur une carte de circuit imprimé.

Remarque 12 : ne connectez pas la sortie V+ lorsque V+ est supérieur 13 V, sinon la fiabilité pourrait en être affectée


Diagramme de connexion


Offre d'achat d'actions (vente chaud)

Numéro de pièceQuantitéMarqueD/CEmballer
SPD04N80C3798816+-252
SPD06N80C31514214+-252
SPD18P06PG1245810+-252
TLE42754D781614+-252
RJP30H19188RENESA16+-252
PQ12TZ518596POINTU16+-252
PQ20VZ518380POINTU14+-252
SM3119NSUC-TRG11116SINOPOWER14+-252
STD12NF06LT48146ST08+-252
STD16NF06LT49324ST12+-252
STD30NF06LT412326ST16+-252
STD3NK90ZT413616ST11+-252
STD3NM60T48294ST16+-252
STD4NK60ZT412568ST14+-252
STD60NF55LT46560ST06+-252
STD85N3LH58330ST10+-252
STGD6NC60HDT440844ST15+-252
STU2030PLS10724ST16+-252
T405604708ST16+-252
T405-600B16904ST16+-252
T410-600B16176ST16+-252
T435-600B-TR12368ST16+-252
T810-600B21520ST14+-252
TIP122CDT8850ST16+-252
PQ05SZ118812POINTU16+-252
SM3119NSUC-TRG11094SINOPOWER13+-252
STD1NK80ZT411050ST16+-252
STD4NK80ZT48312ST16+-252
STGD5NB120SZT411498ST10+-252
T410-600B-TR8102ST08+-252

China Amplificateur opérationnel double CMOS de puces IC programmables LMC662CM supplier

Amplificateur opérationnel double CMOS de puces IC programmables LMC662CM

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