Puce de circuit intégré de SN74HC20DR, doubles composants électroniques d'IC de porte de NAND de 4 entrées
Number modèle:74HC20D
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8300pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Puce de circuit intégré 74HC20D, doubles composants électroniques d'IC de porte de NAND de 4 entrées
Double porte NAND 4 entrées 74HC/HCT20
CARACTÉRISTIQUES
• Capacité de sortie : standard
• JECCcatégorie : SSI
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Les 74HC/HCT20 sont des dispositifs CMOS Si-gate haute vitesse et sont compatibles avec les broches Schottky TTL (LSTTL) basse consommation.Ils sont spécifiés conformément la norme JEDEC n°.7A.Le 74HC/HCT20 fournit la fonction NAND 4 entrées.
DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE
GND = 0 V ;Jamb= 25 °C ;tr= tF= 6ns
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | TYPIQUE | UNITÉ | |
| SC | HCT | ||||
| tPHL/ tPLH | délai de propagation nA, nB, nC, nD nY | CL= 15 pF ;VCC= 5V | 8 | 13 | ns |
| Cje | capacité d'entrée | 3.5 | 3.5 | pF | |
| CDP | capacité de dissipation de puissance par paquet | notes 1 et 2 | 22 | 17 | pF |
Remarques
1. CDPest utilisé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (PDen µW) :
PD=CDP×VCC2×fje+ ∑ (CL×VCC2×fo) où:
Fje= fréquence d'entrée en MHz
Fo= fréquence de sortie en MHz
CL= capacité de charge de sortie en pF
VCC= tension d'alimentation en V
∑ (CL×VCC2×fo) = somme des sorties
2. Pour HC, la condition est Vje= GND VCC
Pour HCT, la condition est Vje= GND VCC− 1,5 V
Puce de circuit intégré de SN74HC20DR, doubles composants électroniques d'IC de porte de NAND de 4 entrées
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