Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD
Number modèle:FGH40N60SMD
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8500pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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FGH40N60SMDF
600V, arrêt de champ 40A IGBT
Caractéristiques
• La température de jonction maximum : TJ =175℃
• Coefficient positif de Temperaure pour l'opération parallèle facile
• Capacité forte intensité
• Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =1.9V (type.) @ IC = 40A
• Impédance élevée d'entrée
• Commutation rapide
• Serrez la distribution de paramètre
• RoHS conforme
Applications
• Inverseur solaire, UPS, SMPS, PFC
• Chauffage par induction
Description générale
Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications solaires d'inverseur, d'UPS, de SMPS, d'IH et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.
Capacités absolues
| Symbole | Description | Estimations | Unités |
| VCES | Collecteur la tension d'émetteur | 600 | V |
| VGES | Porte la tension d'émetteur | ± 20 | V |
| IC | Courant de collecteur @ comité technique = 25℃ | 80 | |
| Courant de collecteur @ comité technique = 100℃ | 40 | ||
| Missile aux performances améliorées (1) | Courant de collecteur pulsé | 120 | |
| SI | Courant en avant de diode @ comité technique = 25℃ | 40 | |
| Courant en avant de diode @ comité technique = 100℃ | 20 | ||
| IFM (1) | Courant en avant maximum pulsé de diode | 120 | |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃ | 349 | W |
| Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃ | 174 | W | |
| TJ | La température de jonction fonctionnante | -55 +175 | ℃ |
| Tstg | Température ambiante de température de stockage | -55 +175 | ℃ |
| TL | Temp maximum d'avance. pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes | 300 | ℃ |
Notes : 1 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| EL817B-F | 12000 | EL | 16+ | IMMERSION |
| EL817C-F | 12000 | EVERLIGHT | 16+ | IMMERSION |
| EL817S (A) (VENTRES) - F | 68000 | EVERLIGHT | 12+ | SOP-4 |
| EM639165TS-6G | 7930 | ETRONTECH | 15+ | TSOP-54 |
| EM63A165TS-6G | 13467 | ETRONTECH | 14+ | TSOP-54 |
| EM78P459AKJ-G | 9386 | EMC | 15+ | DIP-24 |
| EMI2121MTTAG | 5294 | SUR | 15+ | DFN |
| ENC28J60-I/SO | 7461 | PUCE | 16+ | SOP-28 |
| EP1C3T144C8N | 3452 | ALTERA | 13+ | QFP144 |
| EP3C5F256C8N | 2848 | ALTERA | 15+ | BGA |
| EP3C80F780I7N | 283 | ALTERA | 16+ | BGA |
| EP9132 | 3575 | L'EXPLOREZ | 16+ | TQFP-80 |
| EPC1213LC-20 | 3527 | Alt | 03+ | PLCC20 |
| EPC1213PC8 | 8853 | ALTERA | 95+ | DIP-8 |
| EPC2LI20N | 2794 | ALTERA | 13+ | PLCC |
| EPM7032SLC44-10N | 2472 | ALTERA | 13+ | PLCC44 |
| EPM7064SLC44-10N | 2498 | ATLERA | 15+ | PLCC |
| EPM7128SQC100-10N | 1714 | ALTERA | 12+ | QFP |
| ERA-1SM+ | 3210 | MINI | 15+ | SOT-86 |
| ES1B-E3/61T | 18000 | VISHAY | 14+ | DO-214AC |
| ES2G-E3/52T | 12000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| ES2J-E3/52T | 12000 | VISHAY | 13+ | DO-214AA |
| ES3J | 12000 | FSC | 15+ | SMC |
| ES56031S | 3498 | Es | 16+ | SOP-24 |
| ESAD92-02 | 6268 | FUIJ | 16+ | TO-3P |
| ESD112-B1-02EL E6327 | 23000 | 15+ | TSLP-2-20 | |
| ESD5Z5.0T1G | 9000 | SUR | 13+ | SOD-523 |
| ESD5Z7.0T1G | 12000 | SUR | 16+ | SOD-523 |
| ESDA6V1SC5 | 51000 | St | 15+ | SOT23-5 |
| ESP-12E | 3991 | AI | 16+ | SMT |
Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD
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