IGBT 600V 22A 156W a isolé le transistor bipolaire IRGB10B60KDPBF de porte
Number modèle:IRGB10B60KDPBF
Point d'origine:L'Allemagne
Quantité d'ordre minimum:5-10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10,000pcs
Délai de livraison:dans 2-3days courant
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. Transistor bipolaire porte isolée avec diode de récupération souple ultra-rapide
Pour les appareils électroniques, le réglage de la tension doit être effectué l'aide d'un régulateur.
Caractéristiques
• Faible VCE (allumée) non perforée grce la technologie IGBT.
• Faible fréquence VF de diode.
• Capacité de court-circuit de 10 μs.
• RBSOA carré.
• Caractéristiques de récupération inverse des diodes ultrasoft.
• Coefficient de température VCE (allumé) positif.
• Sans plomb
Les avantages
• Efficacité de référence pour le contrôle moteur.
• Des performances transitoires robustes.
• faible EMI.
• Excellent partage du courant en fonctionnement parallèle.
| Numéro de la partie | Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. |
| Produit de fabrication | Infineon |
| Catégories Produits base de semi-conducteurs discrets Transistors - IGBT - Fabricant unique | Infineon |
| Emballage | Tuyaux |
| Originaux | L' Allemagne. |
| Statut de la partie | Actif |
| Type IGBT | Le TNP |
| Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 600 V |
| Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 22A |
| Courant - pulsation du collecteur (Icm) | 44A |
| Vce ((on) (max) @ Vge Ic | 2.2V @ 15V 10A |
| Puissance maximale | 156W |
| Échange d'énergie | Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction de la fréquence de l'émission. |
| Type d'entrée | La norme |
| Charge de la porte | 38nC |
IGBT 600V 22A 156W a isolé le transistor bipolaire IRGB10B60KDPBF de porte
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