Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
Number modèle:2SD1899
Point d'origine:Le Japon
Quantité d'ordre minimum:10 PCs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:10000pcs
Délai de livraison:Courant
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Shenzhen China
Adresse:
Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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Détails du produit
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Détails du produit
2SD1899 NPN PNP Transistors de silicium NPN Puissance Transistors
Définition
·faible tension de saturation du collecteur
·testé 100% en avalanche
·Variations minimales par lot pour des performances robustes du dispositif et un fonctionnement fiable
Applications
·Applications haute fréquence de transition
Les spécifications
Catégorie: BJT - Objectif général
Fabricant: RENESAS TECHNOLOGY
Courant du collecteur (CC) : 3 ((A)
Voltage de base du collecteur: 60 V
Voltage collecteur-émetteur: 60 V
Voltage de base de l'émetteur: 7 V
Fréquence: 120 MHz
Dissipation de l'énergie:
Montage: surfaces
Plage de température de fonctionnement: -55°C 150°C
Type de colis: TO-252
Nombre de broches: 2 + Tab
Nombre d'éléments: 1
Classification de température de fonctionnement: militaire
Catégorie: Puissance bipolaire
Rad durci: Non
Polarité du transistor: NPN
Puissance de sortie: pas nécessaire ((W)
Configuration: unique
Le gain de courant continu: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
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