Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)
Number modèle:BSH201
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000 PCs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:30000PCS
Délai de livraison:Courant
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
BSH201 NPN PNP Transistors P-Channel 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Monture de surface
Transistor BSH201 MOS en mode amélioration du canal P
Les caractéristiques sont les suivantes: • basse tension de seuil
VDS = -60 V • commutation rapide • ID compatible au niveau logique
= -0,3 A • sous-miniature RDS ((ON) ≤ 2,5 Ω (VGS = -10 V)
DESCRIPTION GENÉRALE Le code PIN SOT23
P-canal, mode d'amélioration, niveau de logique PIN DESCRIPTION,
transistor de puissance effet de champ.Cet appareil a une faible
tension de seuil de 1 porte et une commutation extrêmement rapide,
ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie
2 sources et l'interface numérique haute vitesse. 3 évacuation
Le BSH201 est fourni dans le package de montage de surface en
sous-miniature SOT23.
| Attributs du produit | Sélectionnez Tout |
| Catégories | Produits base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Produit de fabrication | Nexperia États-Unis Inc. |
| Série | - |
| Emballage | Tape et bobine (TR) |
| Statut de la partie | Actif |
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation la source (Vdss) | 60 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | Pour les véhicules moteur électrique |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | Le système d'alimentation doit être équipé d'un système d'alimentation électrique. |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ± 20 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 417 mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | TO-236AB: Les résultats de l'enquête |
Bâti 417mW extérieur de la Manche 60V 300mA (ventres) des transistors P de BSH201,215 NPN PNP (merci)
Inquiry Cart
0