Transistor de puissance de BFS505,115 15V rf, transistor extérieur de bâti de 18mA 9GHz 150mW

Number modèle:BFS505
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000 PCs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:60000PCS
Délai de livraison:Courant
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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BFS505 NPN PNP Transistors Transistors RF NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Monture de surface

Transistors large bande NPN 9 GHz


Caractéristiques
• Faible consommation de courant
• Gain de puissance élevé
• Faible taux de bruit
• Haute fréquence de transition
• La métallisation de l'or assure
excellente fiabilité
• enveloppe SOT323.
Définition
Transistor NPN dans un SOT323 en plastique
Enveloppe.
Il est destiné aux amplificateurs de faible puissance,
les oscillateurs et les mélangeurs, en particulier dans les
Communication RF portables
équipement (téléphones cellulaires, sans fil
téléphones, pagers) jusqu' 2 GHz.

Attributs du produitSélectionnez Tout
CatégoriesProduits base de semi-conducteurs discrets
 Transistors - Bipolaire (BJT) - RF
Produit de fabricationUSA Inc.
Série-
EmballageTape et bobine (TR)
Statut de la partieDépassé
Type de transistorNPN
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max)15 V
Fréquence - Transition9 GHz
Figure du bruit (dB Typ @ f)1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Les gains-
Puissance maximale150 mW
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 6V
Courant - collecteur (Ic) (maximum)18 mA
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageMonture de surface
Emballage / boîtierSC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseurLe code de conduite est le code SOT-323-3.

China Transistor de puissance de BFS505,115 15V rf, transistor extérieur de bâti de 18mA 9GHz 150mW supplier

Transistor de puissance de BFS505,115 15V rf, transistor extérieur de bâti de 18mA 9GHz 150mW

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