2N7002T-7-F bâti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523

Number modèle:2N7002T-7-F
Point d'origine:LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum:3000
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:15000
Détails de empaquetage:Bande magnétique (TR)
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2N7002T-7-F bti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523

Description et applications

Ce transistor MOSFET de nouvelle génération a été conçu pour réduire au minimum la résistance d'onstate (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.

convertisseurs du  DC-DC

le  actionnent des fonctions de gestion

systèmes piles de  et relais semi-conducteur

conducteurs de  : Relais, solénoïdes, lampes, marteaux, affichages, souvenirs, transistors, etc.

 

Caractéristiques

basse Sur-résistance de 

basse tension de seuil de porte de 

basse capacité d'entrée de 

vitesse de changement rapide de 

basse fuite d'entrée-sortie de 

Ultra-petit paquet extérieur de bti de 

 totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme

halogène et antimoine de  libres. Dispositif « vert »

 pour des applications des véhicules moteur exigeant le contrôle spécifique de changement

 

Données mécaniques

cas de  : SOT523

matériel de cas de  : Plastique moulé. Composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0

sensibilité d'humidité de  : De niveau 1 par J-STD-020

terminaux de  : Matte Tin Finish Annealed au-dessus d'alliage 42 Leadframe (électrodéposition sans plomb). Solderable par MIL-STD-202, méthode 208

connexions terminales de  : Voir le diagramme

poids de  : 0,002 grammes (d'approximatif)

 

spécifications de 2N7002T-7-F

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
-
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
115mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2V @ 250µA
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
50 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
150mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-523
Paquet/cas
SOT-523

 

ORIGINAL

 

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

 

PRIX

 

Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.

 

TRANSACTION

 

Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.

 

CYCLE DE LIVRAISON

 

La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.

 

TRANSPORT

 

Nous choisirons le mode approprié de transport selon votre pays.

 

EMBALLAGE

 

Après communication avec vous, nous choisirons la méthode de empaquetage appropriée selon le poids des marchandises pour assurer la livraison sûre des marchandises.

China 2N7002T-7-F bâti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523 supplier

2N7002T-7-F bâti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523

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