Les données sont fournies par le fabricant de l'appareil.
Number modèle:IPD80R1K4P7
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:1PCS
Conditions de paiement:D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:37830pcs
Délai de livraison:3
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
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dans 2 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Application :
IPD80R1K4P7 est un transistor de transistor MOSFET de N-canal
utilisé généralement dans les convertisseurs haute efficacité de
DC-DC et les applications d'alimentation d'énergie. Il peut
fonctionner la basse tension et a la basse résistance et la vitesse
de changement élevée, la rendant très appropriée pour l'usage dans
des applications de basse tension.
Conclusion :
IPD80R1K4P7 a les caractéristiques suivantes :
Basses pertes mêmes de commutation et de conduction ;
Limite haute tension, capable de l'opération la haute tension ;
La vitesse de changement élevée permet les convertisseurs efficaces
de DC-DC ;
Stabilité hautes températures, capable du travail dans les
environnements hautes températures.
Paramètres :
Les paramètres principaux d'IPD80R1K4P7 sont comme suit :
Courant évalué : 80A ;
Tension évaluée : 40V ;
Tension d'alimentation électrique maximum de drain : 55V ;
Résistance statique : 1.4m Ω ;
Capacité typique : 2000pF ;
Température ambiante fonctionnante : -55 ° C DU ° C~+175 ;
Type d'empaquetage : TO-252 (DPAK).
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