IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet

Number modèle:IPD082N10N3
Point d'origine:Original
Quantité d'ordre minimum:1PCS
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Capacité d'approvisionnement:57830pcs
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Shenzhen China
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ISO9001.pdf

IPD082N10N3 est un transistor MOSFET canal N. Voici ses applications, ses conclusions et ses paramètres:
Applications:
Utilisé comme interrupteur de charge haute tension et haute puissance
Utilisé comme interrupteur pour les convertisseurs et régulateurs
Conclusion:
Capacité haute tension: Vds=100V
Faible résistance la conduction: Rds (on) = 8,2m Ω (typique)
La vitesse de commutation rapide: td (allumée) = 16 ns (typique), td (éteinte) = 60 ns (typique)
Performance haute température: peut fonctionner des températures allant jusqu' 175 °C
Conforme aux directives RoHS et aux exigences sans plomb
Paramètres:
Vds (tension de la source de vidange): 100V
Vgs (tension de la source de la porte): ± 20V
Id (courant de vidange): 80A
Rds (allumé) (résistance de conduction): 8,2 m Ω (typique)
Qg (charge de la porte): 135nC (typique)
Td (on) (temps de retard de démarrage): 16 ns (typique)
Td (arrêt) (temps de retard d'arrêt): 60 ns (typique)
Tj (température de jonction): 175 °C
Conforme aux directives RoHS et aux exigences sans plomb.

Spécifications techniques du produit 
  
RoHS de l'UEConforme l'exemption聽
Nom de l'organismeEAR99
Statut de la partieNon confirmé
SVHC- Oui, oui.
SVHC dépasse le seuil- Oui, oui.
Automobiles- Pas connu
PPAP- Pas connu
Catégorie de produitsMOSFET de puissance
ConfigurationUnique
Technologie des procédésOptiMOS 3
Mode de chaîneAmélioration
Type de canalN
Nombre d'éléments par puce1
Voltage maximal de la source de vidange (V)100
Voltage maximal de la source de sortie (V)¥20
Voltage de seuil de sortie maximal (V)3.5
Courant de drainage continu maximum (A)80
Courant de fuite maximal de la source de sortie (nA)100
Résultats de l'analyse1
Résistance maximale de la source de drainage (mOhm)8.2@10V
Charge de passerelle typique @ Vgs (nC)42@10V
Charge de porte typique @ 10V (nC)42
Capacité d'entrée typique @ Vds (pF)2990@50V
Dissipation de puissance maximale (mW)125000
Temps de chute typique (ns)8
Temps de montée typique (ns)42
Temps de retard typique de débranchement (ns)31
Temps (s) de retard typique d'allumage18
Température de fonctionnement minimale ( capturéC)- 55 ans
Température de fonctionnement maximale ( capturéC)175
EmballageTape et bobine
MontageMonture de surface
Hauteur du colis2.41 (maximum)
Largeur du paquet6.22 (maximum)
Longueur du colis6.73 (maximum)
PCB modifié2
- Je ne sais pas.- Je ne sais pas.
Nom du colis standardTO-252
Paquet fournisseurDPAK
Nombre de broches3
Forme du plombLes oiseaux de mer
China IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet supplier

IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet

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