IMBG120R140M1H Puce de circuit intégré 1200V SiC MOSFET Transistors TO-263-7 Paquet

Numéro de modèle:IMBG120R140M1H
Lieu d'origine:CN
Quantité minimum d'achat:dix
Modalités de paiement:T/T, L/C, Western Union
Heure de livraison:5-8 jours ouvrables
Détails de l'' emballage:PG-TO263-7-12
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Puce de circuit intégré IMBG120R140M1H Transistors MOSFET tranchée SiC 1200 V dans un boîtier TO-263-7


Spécification deIMBG120R140M1H

État du produit

Actif

Type FET

Canal N

Technologie

SiCFET (carbure de silicium)

Tension drain source (Vdss)

1200V

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C

18A (TC)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

189 mOhms 6 A, 18 V

Vgs(th) (Max) @ Id

5,7 V 2,5 mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13,4 nC 18 V

Vg (Max)

+18V, -15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

491 pF 800 V

Fonction FET

Standard

Dissipation de puissance (maximum)

107W (TC)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)


Caractéristiques de l'IMBG120R140M1H
Très faibles pertes de commutation
Temps de tenue aux courts-circuits 3 µs
dV/dt entièrement contrôlable
Tension de seuil de grille de référence, VGS(th) = 4,5 V
Robuste contre les allumages parasites, une tension de grille d'arrêt de 0 V peut être appliquée
Corps de diode robuste pour une commutation dure
Technologie d'interconnexion XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
Ligne de fuite du boîtier et distance de dégagement > 6,1 mm
Broche de détection pour des performances de commutation optimisées


Avantages de l'IMBG120R140M1H
Amélioration de l'efficacité
Activer une fréquence plus élevée
Densité de puissance accrue
Réduction de l'effort de refroidissement
Réduction de la complexité et des coûts du système


Applications potentielles de IMBG120R140M1H
Disques
Infrastructure – Chargeur
Production d'énergie - Onduleur chaîne solaire et optimiseur solaire
Alimentations industrielles - UPS industriels


FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
A:Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A:Oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

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IMBG120R140M1H Puce de circuit intégré 1200V SiC MOSFET Transistors TO-263-7 Paquet

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