Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Number modèle:IKW30N65ET7XKSA1
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Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

 

Description de produit d'IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 est un court-circuit efficace IGBT discret rocailleux fournissant au moins la tension de saturation inférieure de 10% que d'autres.

 

Spécifications d'IKW30N65ET7XKSA1

Numéro de la pièce

IKW30N65ET7XKSA1

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC

1.65V @ 15V, 30A

Puissance - maximum

188 W

Énergie de changement

590µJ (dessus), 500µJ ()


Caractéristiques d'IKW30N65ET7XKSA1

  • IEM réduit

  • Conception robuste d'humidité

  • Diode antiparallèle de récupération très douce et rapide

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

MSC035SMA070B4

TO-247-4

QH8MA4TCR

DFN8

S25FL128SAGMFMR00

SOP16

S25FL064LABMFV011

SOP8

CY15B108QI-20LPXC

QFN

CY15B104QI-20LPXC

DIP8

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
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: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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Transistors électroniques d'arrêt de champ de fossé des circuits intégrés IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

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